[发明专利]离子束突波恢复用的射束线电极电压调变无效
申请号: | 201380038609.1 | 申请日: | 2013-07-17 |
公开(公告)号: | CN104508790A | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 皮尔·卢比克;克里斯多夫·里维特;提摩太·米勒;具本雄 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01J37/02 | 分类号: | H01J37/02;H01J37/24;H01J37/304;H01J37/317 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 陶敏,臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子束突波恢复用的射束线电极电压调变 | ||
1.一种离子植入系统,包括:
离子源;
电极,所述电极保持与地电位不同的电压;以及
与所述电极连通的已调变电源系统,其中所述已调制电源系统包括:
具有第一端子和第二端子的电源;
源开关,所述源开关具有电性连接到所述电源的所述第二端子的第一 端子以及电性连接到所述电极的第二端子;
放电开关,所述放电开关具有电性接地的第一端子以及电性连接到所 述电极的第二端子;以及
控制单元,所述控制单元经配置以在检测到突波之后致动所述源开关 和所述放电开关。
2.根据权利要求1所述的离子植入系统,其中所述控制单元包括输入, 所述输入代表从所述电源传出来的电流。
3.根据权利要求2所述的离子植入系统,其中所述控制单元将所述输入 与预定范围相比,以检测所述突波。
4.根据权利要求1所述的离子植入系统,其中当检测到所述突波时,所 述控制单元断开所述源开关以使所述电源与所述电极绝缘。
5.根据权利要求4所述的离子植入系统,其中所述控制单元在断开所述 源开关之后闭合所述放电开关。
6.根据权利要求1所述的离子植入系统,还包括源阻抗,所述源阻抗电 性地串联在所述电极与所述源开关的所述第二端子之间。
7.根据权利要求1所述的离子植入系统,还包括放电阻抗,所述放电阻 抗电性地串联在所述电极与所述放电开关的所述第二端子之间。
8.根据权利要求4所述的离子植入系统,其中所述控制单元在断开所述 源开关的同时闭合所述放电开关。
9.根据权利要求1所述的离子植入系统,其中所述电极包括引出电极且 还包括抑制电极和接地电极。
10.一种用于使离子植入系统中突波最小化的方法,所述离子植入系统 具有保持与地电位不同电压的至少一个电极,所述方法包括:
使用电源将电流供应给所述电极;
对用于使所述电极保持所述电压的所述电流进行监控;
当被监控的所述电流在预定范围外时,检测突波;
在检测到所述突波之后,使所述电源与所述电极电绝缘;
在检测到所述突波之后,将所述电极电性接地;
在预定时间段之后,使所述电极与地电绝缘;以及
在所述预定时间段之后,将所述电极电性连接到所述电源,从而恢复供 至所述电极的电力。
11.根据权利要求10所述的用于使离子植入系统中突波最小化的方法, 还包括提供了控制单元且所述控制单元执行所述监控和所述检测。
12.根据权利要求11所述的用于使离子植入系统中突波最小化的方法, 还包括提供了源开关以电性连接所述电源和所述电极,并且所述控制单元致 动所述源开关。
13.根据权利要求11所述的用于使离子植入系统中突波最小化的方法, 还包括提供放电开关以电性连接地和所述电极,并且所述控制单元致动所述 放电开关。
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