[发明专利]结构化叠层转印膜和方法有效
申请号: | 201380037772.6 | 申请日: | 2013-06-17 |
公开(公告)号: | CN104471739B | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 马丁·B·沃克;米奇斯瓦夫·H·马祖雷克;谢尔盖·拉曼斯基;玛格丽特·M·沃格尔-马丁;维维安·W·琼斯;奥勒斯特尔·小本森;迈克尔·本顿·弗里;埃文·L·施瓦茨;兰迪·S·贝;格雷厄姆·M·克拉克 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;B32B37/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 丁业平,金小芳 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 化叠层转印膜 方法 | ||
1.一种用于转印结构化层的叠层转印膜,所述叠层转印膜包括:
载体基板,所述载体基板具有可剥离表面;
牺牲模板层,所述牺牲模板层具有施加到所述载体基板的可剥离表面的第一表面、并且具有与所述第一表面相对的第二表面,其中所述第二表面包括非平面结构化表面;以及
热稳定的回填层,所述回填层被施加到所述牺牲模板层的第二表面,其中所述回填层具有与所述牺牲模板层的非平面结构化表面对应并施加到所述牺牲模板层的非平面结构化表面的结构化表面,
其中所述牺牲模板层能够从所述回填层去除,同时基本上完整地保留所述回填层的结构化表面。
2.根据权利要求1所述的叠层转印膜,其中所述载体基板为热稳定的。
3.根据权利要求1所述的叠层转印膜,其中所述回填层是平整化层。
4.根据权利要求1所述的叠层转印膜,其中所述回填层包括两种不同材料的双层。
5.根据权利要求4所述的叠层转印膜,其中所述双层中的一个包括粘合增进层。
6.一种用于转印嵌入式结构化层的叠层转印膜,所述叠层转印膜包括:
载体基板,所述载体基板具有可剥离表面;
牺牲可剥离层,所述牺牲可剥离层具有施加到所述载体基板的可剥离表面的第一表面、并且具有与所述第一表面相对的第二表面;
顶层,所述顶层被施加到所述牺牲可剥离层的第二表面、并且在所述顶层的与所述牺牲可剥离层相背的一侧上具有非平面结构化表面;以及
回填层,所述回填层被施加到所述顶层的非平面结构化表面,从而在所述顶层与所述回填层之间形成结构化界面,
其中所述牺牲可剥离层能够从所述顶层去除,同时基本上完整地保留所述回填层和所述顶层。
7.根据权利要求6所述的叠层转印膜,其中所述牺牲可剥离层包括分型层。
8.根据权利要求6所述的叠层转印膜,其中所述载体基板是热稳定的。
9.根据权利要求6所述的叠层转印膜,其中所述回填层是平整化层。
10.根据权利要求6所述的叠层转印膜,其中所述回填层包括两种不同材料的双层。
11.根据权利要求10所述的叠层转印膜,其中所述双层中的一个包括粘合增进层。
12.根据权利要求6所述的叠层转印膜,其中所述顶层具有比所述回填层更高的折射率。
13.一种用于转印结构化层的叠层转印膜,所述叠层转印膜包括:
牺牲聚合物层,所述牺牲聚合物层具有非平面结构化表面;以及
热稳定的回填层,所述回填层被施加到所述牺牲聚合物层的非平面结构化表面,其中所述回填层具有与所述牺牲聚合物层的非平面结构化表面对应的结构化表面,
其中所述牺牲聚合物层能够被干净地烘除,同时基本上完整地保留所述回填层的结构化表面。
14.根据权利要求13所述的叠层转印膜,其中所述回填层是平整化层。
15.根据权利要求13所述的叠层转印膜,其中所述回填层包括两种不同材料的双层。
16.根据权利要求15所述的叠层转印膜,其中所述双层中的一个包括粘合增进层。
17.根据权利要求13所述的叠层转印膜,其中所述牺牲聚合物层包括可紫外线固化的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择