[发明专利]微芯片和用于制造微芯片的方法在审

专利信息
申请号: 201380035497.4 申请日: 2013-05-09
公开(公告)号: CN104412110A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 渡边英俊;濑川雄司;加藤义明 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: G01N35/08 分类号: G01N35/08;B01J19/00;G01N37/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 芯片 用于 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本技术涉及包括多个基板层的微芯片。更具体地,本技术涉及具有设置在基板层之间的界面处的接合层的微芯片。

背景技术

近几年,已经开发了微芯片,该微芯片设置有用于在由硅或玻璃制成的基板上通过将微机电技术应用于半导体工业执行化学和生物学分析的井或流路。这类微芯片开始用于,例如,在液相色谱法中的电化学检测器或在医学领域中的紧凑型电化学传感器。

使用这类微芯片的分析系统称为微全分析系统(μ-TAS)、芯片实验室或生物芯片,并且该分析系统作为能够高速、高效、高集成化学和生物学分析或分析器的微型化的技术而得到关注。μ-TAS允许以小量的样品执行分析并且允许微芯片用完即可丢弃,并且因此特别期望其能够应用于生物学分析,该生物学分析处理有价值且脆弱的微量的样品或大量的待试验物。

如上所述的这类微芯片通常通过将具有井或流路模制在其中的基板接合到另一个基板而制造。当接合基板时,必须可靠密封样品引进至其的微结构而不损坏诸如设置在基板中的流路的微结构。

例如,专利文献1公开了“包括溶液引入的区域同时保持该区域的内部压力相对于大气压为负的微芯片”。这种微芯片通过接合由不同材料制成的多个基板层而形成。由这类复合材料基板层组成的微芯片可能在基板层之间的接合强度不足。

引用列表

专利文献

专利文献1:JP 2011-163984A

发明内容

技术问题

在一些情况下,取决于构成微芯片的基板层的材料的组合,基板层之间的接合强度可能是不足的。因此,本技术的主要目标是提供用于增强基板层之间的接合强度的技术。

技术方案

为了解决问题,本技术提供了一种微芯片,该微芯片包括多个基板层,以及接合层,该接合层设置在基板层之间的界面处并且被配置为包括硅化合物。接合层的至少一层被配置为包括有机硅化合物。

多个基板层可以包括由非硅树脂制成的基板层和由聚二甲基硅氧烷制成的基板层。由聚二甲基硅氧烷制成的基板层的两个表面可以通过接合层接合到由非硅树脂制成的第一基板层和由非硅树脂制成的第二基板层。

由非硅树脂制成的第一基板层在接合到由聚二甲基硅氧烷制成的基板层的接合面上可以具有凹槽。由非硅树脂制成的第二基板层和由聚二甲基硅氧烷制成的基板层可以通过由有机硅化合物制成的接合层接合,由非硅树脂制成的第二基板层在接合到由聚二甲基硅氧烷制成的基板层的接合面上不具有凹槽。

此外,由聚二甲基硅氧烷制成的基板层可以通过由无机硅化合物制成的接合层接合到由非硅树脂制成的第一基板层。

此外,由聚二甲基硅氧烷制成的基板层在接合到由非硅树脂制成的第一基板层的接合面上可以具有凹槽。由非硅树脂制成的第一基板层和由非硅树脂制成的第二基板层可以通过由有机硅化合物制成的接合层分别接合到由聚二甲基硅氧烷制成的基板层。

由非硅树脂制成的第一基板层和由非硅树脂制成的第二基板层可以由丙烯酸树脂或聚碳酸酯组成,并且可以是不透气的。

此外,由聚二甲基硅氧烷制成的基板层可以由于弹性形变而具有自密封能力。凹槽可以具有相对于大气压是负压的内部空间。

本技术提供了用于制造微芯片的方法,该方法包括将包含硅化合物的可交联组合物涂覆由非硅树脂制成的第一基板层的凹槽形成表面的沉积处理,第一基板层的凹槽形成表面设置有凹槽;以及将包含有机硅化合物的可交联组合物涂覆由非硅树脂制成的第二基板层的表面的涂覆处理,第二基板层的表面未设置有凹槽。

根据权利要求9所述的用于制造微芯片的方法,该方法可以包括将由非硅树脂制成的第一基板层的凹槽形成表面和由非硅树脂制成的第二基板层的表面接合到由聚二甲基硅氧烷制成的基板层的接合处理,第一基板层的凹槽形成表面涂覆有包含硅化合物的可交联组合物,第二基板层的表面涂覆有包含有机硅化合物的可交联组合物并且未设置有凹槽。

技术效果

根据本技术,提供了在基板层之间具有增强的接合强度的微芯片。

附图说明

图1的A和B是用于描述根据本技术的第一实施方式的微芯片1a的构造的示意图。

图2是用于描述用于制造微芯片1a的方法的流程图。

图3的A至F是用于描述用于制造微芯片1a的方法的示意图。

图4是用于描述根据本技术的第二实施方式的微芯片1b的构造的示意图。

图5是用于描述用于制造微芯片1b的方法的流程图。

图6的A至F是用于描述用于制造微芯片1b的方法的示意图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380035497.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top