[发明专利]微芯片和用于制造微芯片的方法在审

专利信息
申请号: 201380035497.4 申请日: 2013-05-09
公开(公告)号: CN104412110A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 渡边英俊;濑川雄司;加藤义明 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: G01N35/08 分类号: G01N35/08;B01J19/00;G01N37/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 芯片 用于 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种微芯片,包括:

多个基板层;以及

接合层,设置在所述基板层之间的界面处并且所述接合层被配置为包括硅化合物,

其中,所述接合层中的至少一层被配置为包括有机硅化合物。

2.根据权利要求1所述的微芯片,

其中,所述多个基板层包括由非硅树脂制成的基板层以及由聚二甲基硅氧烷制成的基板层,以及

其中,由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板层的两个表面通过所述接合层接合到由非硅树脂制成的第一基板层以及由非硅树脂制成的第二基板层。

3.根据权利要求2所述的微芯片,

其中,由非硅树脂制成的所述第一基板层在接合到由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板层的接合面上具有凹槽,

其中,由非硅树脂制成的所述第二基板层和由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板层通过由有机硅化合物制成的所述接合层接合,由非硅树脂制成的所述第二基板层在接合到由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板层的接合面上不具有凹槽。

4.根据权利要求3所述的微芯片,其中,由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板层通过由无机硅化合物制成的接合层接合到由非硅树脂制成的所述第一基板层。

5.根据权利要求2所述的微芯片,

其中,由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板层在接合到由非硅树脂制成的所述第一基板层的接合面上具有凹槽,

其中,由非硅树脂制成的所述第一基板层以及由非硅树脂制成的所述第二基板层各自通过由有机硅化合物制成的所述接合层接合到由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板层。

6.根据权利要求4所述的微芯片,其中,由非硅树脂制成的所述第一基板层以及由非硅树脂制成的所述第二基板层由丙烯酸树脂或聚碳酸酯组成。

7.根据权利要求6所述的微芯片,其中,由非硅树脂制成的所述第一基板层以及由非硅树脂制成的所述第二基板层是不透气的。

8.根据权利要求7所述的微芯片,

其中,由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板层由于弹性形变具有自密封能力,

其中,所述凹槽的内部空间相对于大气压是负压的。

9.一种用于制造微芯片的方法,所述方法包括:

将包含硅化合物的可交联组合物涂覆由非硅树脂制成的第一基板层的凹槽形成表面的沉积处理,所述第一基板层的所述凹槽形成表面设置有凹槽;以及

将包含有机硅化合物的可交联组合物涂覆由非硅树脂制成的第二基板层的表面的涂覆处理,所述第二基板层的所述表面未设置有凹槽。

10.根据权利要求9所述的用于制造微芯片的方法,所述方法包括:

将由非硅树脂制成的所述第一基板层的所述凹槽形成表面和由非硅树脂制成的所述第二基板层的所述表面各自粘贴到由聚二甲基硅氧烷制成的基板层的接合处理,所述第一基板层的所述凹槽形成表面涂覆了包含硅化合物的所述可交联组合物,所述第二基板层的所述表面涂覆了包含有机硅化合物的所述可交联组合物并且所述第二基板层的所述表面未设置有凹槽。

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