[发明专利]靶接合体在审
申请号: | 201380033320.0 | 申请日: | 2013-06-11 |
公开(公告)号: | CN104411861A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 松村仁实;中根靖夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社钢臂功科研 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张玉玲 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 | ||
技术领域
本发明涉及用于形成在液晶显示器等显示装置、接触式传感器等电子器件中,面向薄膜晶体管(TFT)的电极材料、传感器的电连接配线用的Cu合金薄膜,而经由钎料接合了溅射靶与背衬板的靶接合体。
背景技术
由于电阻低、加工比较容易等理由,Cu薄膜会被作为液晶显示器等显示装置的扫描电极或信号电极、接触式传感器等电子器件的电连接配线,经过微细加工而使用。作为Cu薄膜的原材,纯Cu存在与玻璃等基材的密接性差,另外由于容易氧化而表面易变色,而且在半导体中的扩散系数大这样的缺点。由此,作为电连接配线用的薄膜的原材,一般使用Cu合金。Cu合金薄膜能够改善使用上述这样的纯Cu薄膜时的问题,根据用途选择适当的添加元素,由此,能够使作为配线用薄膜使用时的功能提高。因此,关于电子器件用途,开发出各种种类的Cu合金薄膜。
Cu合金薄膜的形成一般采用使用溅射靶的溅射法。该溅射法,是在低气压下,向真空容器内导入氩等不活泼气体,在与薄膜相同的材料所构成的溅射靶和基材之间施加高电压,使等离子体放电发生。使由于该等离子体放电而离子化的气体(在此为氩)加速、轰击溅射靶,通过非弹性碰撞轰出溅射靶的构成原子,使之附着、堆积在基板上而制作薄膜的方法。
金属薄膜的成膜法中,除了溅射法以外还已知有真空蒸镀法,溅射法具有能够连续形成与溅射靶为相同组成的薄膜这样的优点。另外特别是在金属材料的情况下,若应用溅射法,则能够使稀土元素等这样不会在Cu中固溶的合金元素强制固溶在薄膜中。从工业上能够大面积连续稳定成膜这样的观点出发,溅射法也是占有优势的成膜法。
作为适合于这样的溅射法的溅射靶,一般使用长方形、圆盘状等平板状的溅射靶,以将其冷却、支承为目的,溅射靶一般以利用焊料等钎焊在背衬板(支承体)上的状态(靶接合体)使用。
另外,上述背衬板如上所述,因为以冷却成膜时被加热的靶为目的,一般使用热传导率高的纯Cu制、Cu合金制、纯Al制或Al合金制的背衬板。另一方面,安装在上述背衬板上的溅射靶包含形成的薄膜所对应的金属材料,为了形成电连接配线用的Cu合金薄膜,作为Cu合金,为与基底膜的密接性优异的Cu合金,另外,作为抑制基底膜、上部膜中的原子的扩散的阻挡膜用的Cu合金,使用含有规定量的Mn作为合金元素的Cu-Mn合金成为主流。另外靶材与背衬板的接合,通常进行的是使用热传导性和导电性良好的低熔点焊料(例如铟基焊料、锡基焊料)等的粘接材的金属粘接。
作为关于Cu-Mn合金薄膜的技术,例如在专利文献1中公开了如下内容:在作为液晶显示器的电极使用的Cu-Mn合金薄膜中,Mn优先与氧反应,形成抑止Cu氧化的氧化物皮膜。在该技术中,公开了将Cu-Mn合金薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的电极材料使用时的有用性。
另外在专利文献2中公开了如下内容:对于以源自用作光记录层的保护层的ZnS的S扩散为起因而发生的Cu的硫化,在Cu-Mn合金薄膜中,界面反应受到抑制。
另一方面,在专利文献3中,公开有一种溅射靶的制造方法,其是提高溅射靶与钎料的润湿性,使溅射靶与背衬板的接合强度增大。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本国专利第4065959号公报
专利文献2:日本国专利第4603044号公报
专利文献3:日本国专利第2970729号公报
发明所要解决的课题
基于金属粘接的溅射靶和背衬板的接合,通过如下方式进行:分别加热溅射靶与背衬板,在想要接合的表面分别涂布熔融的钎料,使涂布有钎料的面彼此相互重叠。然而,溅射靶像Cu-Mn合金这样由含有Mn合金构成时,发生在熔融钎料中,溅射靶中的Mn渗出,并在钎料表面稠化这样的现象,这已通过本发明人的研究证明。
在钎料表面稠化的Mn容易被氧化,因此会形成氧化膜。若在钎料的表面形成有氧化膜的状态下通过钎焊进行粘接,则因为氧化膜与钎料的润湿性差,所以使溅射靶与背衬板相互重叠时,钎料中产生孔隙(气泡)。该孔隙部分因为热传导性差,所以在通过溅射进行的成膜中,发生溅射靶局部的温度上升,在成形膜厚的面内容易发生不均匀。另外,若发生溅射靶的温度上升,则钎料熔化,从溅射靶和背衬板的界面溢出而成为异常放电的原因,有无法进行稳定的成膜这样的问题。溢出的钎料附着在玻璃基板上,也成为颗粒、飞溅发生的原因。
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