[发明专利]确定聚焦的方法、检查设备、图案形成装置、衬底以及器件制造方法

权利要求书

1.一种确定在衬底上的光刻过程中使用的光刻设备的聚焦的方法，所述方法包括下述步骤：

(a)接收包括通过使用光刻过程形成的第一结构的衬底；

(b)在用辐射照射第一结构的同时检测散射辐射以获得第一散射仪信号；

(c)基于具有至少一个特征的第一结构和基于用于形成第一结构的曝光扰动的信息，使用第一散射仪信号以确定用于形成第一结构的聚焦值，所述至少一个特征具有轮廓，所述轮廓具有依赖于光刻设备在衬底处的曝光扰动和聚焦的不对称度，

其中衬底还包括使用光刻过程形成的第二结构，所述方法还包括在使用辐射照射第二结构的同时检测散射辐射以获得第二散射仪信号；其中，所述方法还包括：基于具有至少一个特征的第二结构，使用第二散射仪信号以确定用于形成第一结构的聚焦值，所述第二结构的所述至少一个特征包括具有依赖于光刻设备在衬底处的曝光扰动和聚焦的形式的轮廓，但是对光刻设备在衬底处的聚焦的敏感度比第一结构更高且对光刻设备的曝光扰动的敏感度比第一结构更低。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述曝光扰动包括曝光剂量。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述曝光扰动包括像差。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：使用光刻过程在衬底上形成第一结构，所述第一结构包括具有轮廓的至少一个特征，所述第一结构的所述至少一个特征的所述轮廓具有依赖于光刻设备在衬底上的曝光扰动和聚焦的不对称度；和，使用光刻过程在衬底上形成第二结构，所述第二结构具有至少一个特征，所述第二结构的所述至少一个特征包括具有依赖于光刻设备在衬底上的曝光扰动和聚焦的形式的轮廓，但是对光刻设备在衬底上的聚焦的敏感度与第一结构不同且对光刻设备的曝光扰动的敏感度与第一结构不同。

5.根据权利要求4所述的方法，其中使用光刻过程形成第一和第二结构的步骤同时执行。

6.根据权利要求1所述的方法，其中通过使用图像平面检测散射测量法执行在照射第一结构和第二结构的同时检测散射辐射的步骤。

7.根据权利要求1所述的方法，其中通过使用光瞳平面检测散射测量法执行在照射第一结构和第二结构的同时检测散射辐射的步骤。

8.根据权利要求1所述的方法，同时地执行在照射第一结构和第二结构的同时检测散射辐射的步骤。

9.根据权利要求1所述的方法，其中第一散射仪信号和第二散射仪信号用于基于具有轮廓的第二结构的至少一个特征确定用于形成第一结构的聚焦值，所述第二结构的所述至少一个特征的所述轮廓具有依赖于光刻设备的曝光扰动的不对称度和在用于确定聚焦值的第二散射仪信号中产生不对称信息。

10.根据权利要求1所述的方法，其中使用第一散射仪信号和第二散射仪信号确定聚焦值的步骤包括：使用第二散射仪信号以选择用于在使用第一散射仪信号确定聚焦值时使用的校准曲线。

11.根据权利要求1所述的方法，其中使用第一散射仪信号和第二散射仪信号确定聚焦值的步骤包括使用具有与第一散射仪信号和第二散射仪信号相关的参数的模型。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括确定用于形成第一结构的曝光扰动值。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，还包括接收关于用于形成第一结构的曝光扰动的信息的步骤。

14.根据权利要求13所述的方法，其中关于用于形成第一结构的曝光扰动的信息包括在使用光刻过程形成第一结构时应用的曝光扰动校正。

15.根据权利要求13所述的方法，其中使用第一散射仪信号确定用以形成第一结构的聚焦值的步骤包括使用所接收的关于曝光扰动的信息以选择用于在使用第一散射仪信号确定聚焦值中使用的校准曲线。

16.根据权利要求13所述的方法，还包括接收关于用于形成第一结构的聚焦的信息并在确定用于形成第一结构的聚焦值中使用所接收的关于聚焦的信息。

17.根据权利要求16所述的方法，其中关于用于形成第一结构的聚焦的信息包括在使用光刻过程形成第一结构中应用的聚焦校正。