[发明专利]压电器件有效

专利信息
申请号: 201380029622.0 申请日: 2013-05-14
公开(公告)号: CN104364924B 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 佐久间仁志;仓知克行;会田康弘;前岛和彦;中岛真由美 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01L41/047 分类号: H01L41/047;H01L41/08
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 压电 器件
【权利要求书】:

1.一种压电器件,其中,

包括:

第一电极膜;

压电膜,其设置在所述第一电极膜上;以及

第二电极膜,其设置在所述压电膜上,

所述压电膜由(K,Na)NbO3或LiNbO3构成,

所述第一电极膜和第二电极膜中的至少一个由合金构成,并且所述合金的主成分是Zn,

所述第一电极膜和第二电极膜中的至少一个的杨氏模量小于所述压电膜的杨氏模量。

2.根据权利要求1所述的压电器件,其中,

所述合金的主成分是Zn,并且所述合金含有Al作为副成分。

3.根据权利要求2所述的压电器件,其中,

所述合金含有80~92at%的Zn和8~20at%的Al。

4.根据权利要求1所述的压电器件,其中,

所述第一电极膜和第二电极膜具有非取向或非晶结构。

5.根据权利要求1所述的压电器件,其中,

所述压电膜具有择优取向结构。

6.根据权利要求1所述的压电器件,其中,

还包括:在所述压电膜与至少一个所述电极膜之间的由选自Al、Ti、Zr、Ta、Cr、Co和Ni中的一种元素构成的中间膜,

构成所述中间膜的金属的氧化还原电位,比构成所述压电膜的全部的金属元素的氧化还原电位低,

所述中间膜具有非取向或非结晶结构,

所述中间膜的膜厚为2~5nm。

7.根据权利要求6所述的压电器件,其中,

还包括在所述压电膜和至少一个所述电极膜之间的导电性氧化物膜。

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