[发明专利]用于处理绝缘体上半导体结构以提高半导体层厚度均匀度的工艺

权利要求书

1.一种用于处理绝缘体上半导体型结构的工艺，该绝缘体上半导体型结构依次包括支撑衬底（1）、介电层（2）和具有小于或等于100 nm的厚度的半导体层（3），所述半导体层（3）被牺牲氧化物层（4）覆盖，其特征在于该工艺包括以下步骤：

-在分布在所述结构的表面上的多个点处测量所述牺牲氧化物层（4）和所述半导体层（3）的厚度，以根据所述测量生成所述半导体层（3）的厚度的绘图并确定所述半导体层（3）的平均厚度，

-选择性刻蚀所述牺牲氧化物层（4）以暴露所述半导体层（3），以及

-对所述半导体层（3）执行化学刻蚀，根据所述半导体层（3）的平均厚度的所述绘图来调整所述化学刻蚀的施加、温度和/或持续时间条件，从而在所述测量步骤结束时将所述半导体层（3）至少局部地减薄被识别为高出的厚度的厚度，其中，所述高出的厚度对应于根据所述测量获得的所述半导体层（3）的厚度与目标厚度之间的差异，所述目标厚度小于或等于所述平均厚度。

2.根据权利要求1所述的工艺，所述工艺应用于批次的绝缘体上半导体结构，其特征在于，在厚度测量结束时，依据所述半导体层（3）的平均厚度级别对所述结构进行分类，并且对属于同一个级别的所有结构在相同条件下执行化学刻蚀。

3.根据权利要求2所述的工艺，其特征在于，通过将同一个级别的所有结构同时浸入化学刻蚀溶液的容器中来执行所述化学刻蚀。

4.根据权利要求2和3中任一项所述的工艺，其特征在于，预先定义了从3个至6个的平均厚度级别。

5.根据权利要求2至3中任一项所述的工艺，其特征在于，所述平均厚度级别具有从0.3 nm至0.5 nm的宽度。

6.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，从所述半导体层（3）的厚度的所述绘图开始，将至少一个区域确定为具有要被减薄的高出的厚度，以在所述结构内将所述半导体层（3）的厚度标准化。

7.根据权利要求6所述的工艺，其特征在于，在所述半导体层（3）的所述化学刻蚀期间，对所述层（3）的要被减薄的所述至少一个区域进行局部加热，以在所述区域提供更大的减薄。

8.根据权利要求6和7中任一项所述的工艺，其特征在于，通过在所述半导体层（3）的表面上进行喷洒，所述化学刻蚀溶液被选择性地分布，以将更大量的溶液沉积在要被减薄的所述至少一个区域上。

9.根据权利要求6至7中任一项所述的工艺，其特征在于，在所述半导体层（3）的所述化学刻蚀期间，所述刻蚀溶液被施加到要被减薄的所述区域的持续时间大于施加到所述层（3）的其余部分的持续时间。

10.根据权利要求1所述的工艺，所述工艺在针对绝缘体上半导体型结构的批次制造的工艺中实现，其目的是，使构成所述批次的结构的所述半导体层（3）的平均厚度相对于由同一工艺制造的另一批次的半导体层（3）的平均厚度标准化，其特征在于，在所述厚度测量结束时，计算所述批次的所述半导体层（3）的平均厚度，将平均厚度级别分配给所述批次，并且对所述批次整体执行所述半导体层（3）的化学刻蚀，根据所述平均厚度级别调整所述化学刻蚀的施加、温度和/或持续时间条件。

11.根据权利要求1至3、6、7和10中的一项所述的工艺，其特征在于，所述半导体层（3）的所述化学刻蚀是SC1类型。

12.根据权利要求1至3、6、7和10中的一项所述的工艺，其特征在于，由氢氟酸执行所述牺牲氧化物层（4）的所述选择性刻蚀。

13.根据权利要求1至3、6、7和10中的一项所述的工艺，其特征在于，通过椭圆测量术进行所述厚度测量。

14.一种用于制造绝缘体上半导体型结构的工艺，所述绝缘体上半导体型结构依次包括支撑衬底（1）、介电层（2）和具有小于或等于100 nm的厚度的半导体层（3），所述工艺包括以下步骤：

-提供被称为施主衬底的衬底，所述衬底包括所述半导体层（3），

-在所述半导体层和/或所述支撑衬底（1）上形成至少一个介电层，

-将所述支撑衬底（1）粘附地键合到所述施主衬底的所述半导体层（3），所述至少一个介电层处于键合界面处，以形成所述绝缘体上半导体结构的所述介电层（2），

-将所述半导体层（3）转移至所述支撑衬底（1），

-将所述半导体层（3）平滑化，

-在所述半导体层（3）上形成牺牲氧化物层（4），

所述工艺的特征在于，在由此形成的所述结构上执行根据权利要求1至3、6、7和10中的一项所述的处理。