[发明专利]带有透明电极的基板及其制造方法以及触摸面板

权利要求书

1.一种带有透明电极的基板，在透明膜的至少一面，依次具有第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层、以及被图案化成电极层形成部和电极层非形成部的透明电极层；

所述第一电介质层是以SiO_x为主要成分且膜厚为1nm～25nm的硅氧化物层，其中x≥1.5；

所述第二电介质层是以选自Nb、Ta、Ti、Zr、Zn、及Hf中的1种以上的金属的氧化物为主要成分且膜厚为5nm以上且小于10nm的金属氧化物层；

所述第三电介质层是以SiO_y为主要成分且膜厚为35nm～80nm的硅氧化物层，其中y＞x；

所述透明电极层是以铟·锡复合氧化物为主要成分且膜厚为20nm～35nm的导电性金属氧化物层；

所述第一电介质层的折射率n₁、所述第二电介质层的折射率n₂、以及所述第三电介质层的折射率n₃满足n₃＜n₁＜n₂的关系；

所述透明电极层的电阻率为5.0×10^-4Ω·cm以下；

带有透明电极层的基板的电极层形成部中的透射率为87％以上。

2.根据权利要求1所述的带有透明电极的基板，其中，所述透明电极层的折射率n₄为1.88以下。

3.根据权利要求1或2所述的带有透明电极的基板，其中，所述透明电极层的折射率n₄大于所述第一电介质层的折射率n₁且小于所述第二电介质层的折射率n₂。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的带有透明电极的基板，其中，所述透明电极层的电阻率为3.7×10^-4Ω·cm以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的带有透明电极的基板，其中，所述透明电极层中的铟·锡复合氧化物的平均结晶粒径为110nm～700nm。

6.根据权利要求5所述的带有透明电极的基板，其中，所述透明电极层中的铟·锡复合氧化物的结晶粒径的变动系数为0.35以上。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的带有透明电极的基板，其中，所述第三电介质层的透明电极层侧界面的算术平均粗糙度为1nm以下。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的带有透明电极的基板，其中，所述第二电介质层是以Nb₂O₅为主要成分的金属氧化物层。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的带有透明电极的基板，其中，所述透明电极层的载流子密度为6.1×10²⁰/cm³以上。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的带有透明电极的基板，其中，所述透明电极层相对于氧化铟与氧化锡的合计100重量份，含有4重量份～14重量份的氧化锡。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的带有透明电极的基板，其中，所述第三电介质层的膜厚超过55nm且为80nm以下。

12.一种带有透明电极的基板的制造方法，是制造权利要求1～11中任一项所述的带有透明电极的基板的方法，

在透明膜上，依次形成第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层及透明电极层，

所述透明电极层通过如下工序形成，即，利用溅射法形成以非晶质的铟·锡复合氧化物为主要成分的非晶质透明电极层的非晶质层形成工序、以及将所述非晶质透明电极层结晶化而得到结晶质透明电极层的结晶化工序；

所述非晶质层形成工序中的溅射时的靶表面的磁通密度为30mT以上。

13.根据权利要求12所述的带有透明电极的基板的制造方法，其中，所述第三电介质层是在小于0.4Pa的压力下利用溅射法制膜而成的。

14.根据权利要求13所述的带有透明电极的基板的制造方法，其中，所述第一电介质层是在小于0.4Pa的压力下利用溅射法制膜而成的。