[发明专利]具有湿气阻挡层的电子器件无效

专利信息
申请号: 201380014687.8 申请日: 2013-03-13
公开(公告)号: CN104185909A 公开(公告)日: 2014-12-03
发明(设计)人: 理查德·贝尔;迈克尔·波普;蒂尔曼·施伦克尔;埃尔温·兰;伊夫琳·特鲁默-赛勒 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 丁永凡;李德山
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 具有 湿气 阻挡 电子器件
【说明书】:

技术领域

不同的实施方式涉及一种电子器件以及一种用于制造这种电子器件的方法。

背景技术

在常规的电子器件、例如常规的有机发光二级管(organic light emitting diode,OLED)中通常施加用于保护湿气敏感的和/或氧气敏感的区域的阻挡层并且主要用于:保护其免受湿气的侵入和/或腐蚀以便在日常应用中也能够常年保护其功能进而实现长的使用寿命。为此通常施加氮化硅(SiN)或氧化硅(SiO2)作为阻挡层。然而,常规的阻挡层显示出相对高的机械应力,所述机械应力例如在非平坦伸展的表面结构中例如会在棱边或阶梯处容易导致裂纹形成,这显著减弱阻挡层的阻挡作用进而缩短电子器件的使用寿命。常规的或差的阻挡层能够由于构件的缩短的储存寿命而导致构件失效(出现所谓的暗斑)。

发明内容

在不同的实施方式中提供电子器件,其中能够提高阻挡层的阻挡作用。此外,在不同的实施方式中提供电子器件,其中能够以简单的方式延长电子器件的储存寿命。

在不同的实施方式中提供电子器件,其具有防湿气待保护层;和湿气阻挡层,所述湿气阻挡层至少部分地设置在待保护层上或其上方和/或其下方;其中湿气阻挡层具有由不同化学计量组分的相同的材料制成的多个层。

直观地,在不同的实施方式中,层结构能够例如使用在光学发光器件中,例如底部发射器或顶部发射器或顶部和底部发射器,例如使用在透明的有机发光二极管中,其中层结构在不同的实施方式中能够提高发光器件的透明度。这能够在不同的实施方式中实现,而不会显著地提高发光器件的总厚度。

湿气阻挡层的层结构的各个层能够具有不同的特征,例如不同的层应力。优选地,能够在层之间平滑过渡的情况下将各个层叠置地沉积。组合而成的层的不同的层应力是有利的,因为由此能够以更加没有应力的方式在表面上、例如在电子器件的防湿气待保护层上成形颗粒或不平坦部,因为能够最佳地调整基底的或后续的层的应力,以便产生尽可能无应力的总层。湿气阻挡层示出显著改进的阻挡作用。

在另一设计方案中,湿气阻挡层能够具有大约5nm至大约100μm范围中的层厚度并且尤其具有大约50nm至大约5μm范围中的层厚度。

在另一设计方案中,多个层中的每个层能够具有大约5nm至大约400nm范围中的层厚度。

在又一设计方案中,多个层中的每个层例如能够具有大约100nm的层厚度。在不同的实施方式中,多个层中的每个层例如能够具有大约200nm的层厚度。在再一设计方案中,多个层中的每个层例如能够具有大约250nm的层厚度。

在又一设计方案中,多个层中的至少一个第一层例如能够具有大约100nm的层厚度并且至少一个另外的层能够具有大约200nm的层厚度。在不同的实施方式中,多个层中的至少一个第一层能够具有大约100nm的层厚度并且至少一个另外的层能够具有大约250nm的层厚度。

在又一设计方案中,多个层由氮化硅制成。在不同的实施方式中,氮化硅能够是无定形的并且具有根据式SiNx的化学计量组分,其中对于x适用的是0≤x<2。

在另一设计方案中,多个层由二氧化硅制成。在不同的实施方式中,二氧化硅能够是无定形的。

例如,多个层中的至少一个层能够由氮化硅制成。直观地说,多个层中的一个层例如能够由氮化硅制成并且多个层中的至少一个另外的层例如能够由二氧化硅制成。

在不同的实施方式中,例如多个层中的第一层能够由二氧化硅制成并且每个另外的层由氮化硅制成。

在不同的实施方式中,相反地,例如也能够由氮化硅制成第一层并且其中由二氧化硅制成每个另外的层。也能够考虑多个层的另外的层序列,所述层序列交替地由氮化硅和二氧化硅制成。例如,第一层也能够由氮化硅制成并且至少一个另外的层由二氧化硅制成并且至少一个另外的层又由氮化硅制成。相反地,第一层也能够由二氧化硅制成,至少一个另外的层由氮化硅制成并且至少一个另外的层由二氧化硅制成。需要指出的是:层的顺序的示例是纯示例的并且不是排他的。

在不同的实施方式中,电子器件能够具有载体,其中防湿气待保护层能够设置在载体上或上方,并且电子器件具有封装件,其中封装件能够设置在湿气阻挡层上或上方和/或下方。

在不同的实施方式中,电子器件还能够具有封装件,其中封装件能够设置在电有源区域的背离衬底的一侧上并且其中层结构能够设置在封装件的下方。

在又一设计方案中,电子器件还能够具有电有源区域,所述电有源区域具有防湿气待保护层。

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