[发明专利]基于铬的反射涂层

权利要求书

1.用于聚合物型基材的基于铬的反射涂层，其中所述涂层具有200nm或更小的厚度，并且是铬与掺杂材料的合金，所述掺杂材料选自六方密堆积的过渡金属，所述合金具有主要的体心立方相与次要的Ω六方密堆积相共存的晶体结构。

2.根据权利要求1所述的基于铬的反射涂层，其中所述合金为铬与所述掺杂材料的二元合金。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的基于铬的反射涂层，其中所述二元合金中所述掺杂材料的原子百分率在约1.9原子％至约5.8原子％的范围内。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的基于铬的反射涂层，其中所述掺杂材料选自六方密堆积的过渡金属锆、钛、钴、铪、铷、钇和锇。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的基于铬的反射涂层，其中所述掺杂材料选自六方密堆积的过渡金属锆、钛和钴。

6.根据权利要求1所述的基于铬的反射涂层，其中所述合金为二元合金，所述掺杂材料为锆，并且其中所述二元合金中所述锆的原子百分率在约4.5原子％至约5.8原子％的范围内。

7.根据权利要求1所述的基于铬的反射涂层，其中所述合金为二元合金，所述掺杂材料为钛，并且其中所述二元合金中所述钛的原子百分率在约1.9原子％至约5.8原子％的范围内。

8.根据权利要求1所述的基于铬的反射涂层，其中所述合金为二元合金，所述掺杂材料为钴，并且其中所述二元合金中所述钴的原子百分率在约1.9原子％至约5.7原子％的范围内。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的基于铬的反射涂层，其中所述涂层的厚度为100nm或更小。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的基于铬的反射涂层，其中所述涂层的厚度在40nm至80nm的范围内。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的基于铬的反射涂层，其中所述涂层的厚度在50nm至70nm的范围内。

12.根据权利要求1至8中任一项所述的基于铬的反射涂层，其中所述涂层的厚度为约60nm。

13.在聚合物型基材上形成基于铬的反射涂层的方法，所述方法包括通过物理气相沉积向所述聚合物型基材施加铬和掺杂材料，所述掺杂材料选自六方密堆积的过渡金属，以形成具有200nm或更小的厚度的合金涂层，施加所述合金涂层以便具有主要的体心立方相与次要的Ω六方密堆积相共存的晶体结构。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述合金为铬与所述掺杂材料的二元合金。

15.根据权利要求13或权利要求14所述的方法，其中所述二元合金中所述掺杂材料的原子百分率在约1.9原子％至约5.8原子％的范围内。

16.根据权利要求13至15中任一项所述的方法，其中所述掺杂材料选自六方密堆积的过渡金属锆、钛、钴、铪、铷、钇和锇。

17.根据权利要求13至15中任一项所述的方法，其中所述掺杂材料选自六方密堆积的过渡金属锆、钛和钴。

18.根据权利要求13所述的方法，其中所述合金为二元合金，所述掺杂材料为锆，并且其中所述二元合金中所述锆的原子百分率在约4.5原子％至约5.8原子％的范围内。

19.根据权利要求13所述的方法，其中所述合金为二元合金，所述掺杂材料为钴，并且其中所述二元合金中所述钴的原子百分率在约1.9原子％至约5.7原子％的范围内。

20.根据权利要求13至19中任一项所述的方法，其中所述涂层的厚度为100nm或更小。

21.根据权利要求13至19中任一项所述的方法，其中所述涂层的厚度在40nm至80nm的范围内。

22.根据权利要求13至19中任一项所述的方法，其中所述涂层的厚度在50nm至70nm的范围内。

23.根据权利要求13至19中任一项所述的方法，其中所述涂层的厚度为约60nm。

24.根据权利要求13至23中任一项所述的方法，其中所述物理气相沉积通过磁控溅射进行。