[发明专利]具有冗余读出放大器的存储器

说明书

技术领域

本发明涉及存储器实现领域，更具体地涉及感测技术。

背景技术

存储器通常包括多个数据存储单元，所述数据存储单元由构造在半导体基板上的互连晶体管构成。可以根据多种不同的电路设计类型来构建此类数据存储单元。例如，可将数据存储单元实现为耦合到电容器的单个晶体管以形成动态存储单元。作为另外一种选择，可采用交叉耦合反相器来形成静态存储单元，或者可使用浮栅MOSFET来创建非易失性存储单元。

在半导体制造过程期间，光刻、晶体管掺杂物水平等的变化可能导致希望具有相同特性的存储单元之间的不同电气特性。由于反复操作设备，晶体管之内出现老化效应，而可能发生电气特性的其他变化。晶体管之间电气特性的这些差异可能导致数据存储单元针对所存储的相同数据输出不同的小信号电压。

在一些情况下，给定数据存储单元的变化可能导致输出电压无法被读出放大器正确放大。在初始测试期间可能会将此类数据存储单元识别为硬故障，这将可能需要利用冗余数据存储单元进行替换以便实现制造产率目标。

发明内容

本发明公开了存储器电路的各种实施例。在一个实施例中，存储器电路可包括数据存储单元、列复用器、具有第一增益电平的第一读出放大器、具有第二增益电平的第二读出放大器、以及输出电路。在一些实施例中，第二增益电平可高于第一增益电平。

在一些实施例中，输出电路可包括复用器，并且复用器可用于可控地选择第一读出放大器的输出或第二读出放大器的输出。在其他实施例中，可以配置第一读出放大器和第二读出放大器，使得它们相应的输出可以进入高阻抗状态，并且输出电路可包括将第一读出放大器的输出耦合到第二读出放大器的输出的节点。

在工作期间，可以在数据存储单元中存储测试数据。可利用第一读出放大器从数据存储单元读取数据并与初始测试数据比较。可利用第二读出放大器从数据存储单元读取数据并与初始测试数据比较。可利用这些比较的结果来确定数据存储单元的强度。可以存储指示数据存储单元强度的信息。

在后续访问数据存储单元期间，可以检查所存储的针对数据存储单元的单元强度信息。如果所存储的针对数据存储单元的单元强度信息指示存储单元弱，则可利用第二读出放大器从数据存储单元读取数据。

附图说明

以下详细描述参考了附图，现在简要描述附图。

图1示出了数据存储单元的一个实施例。

图2示出了用于对位线放电的可能波形。

图3示出了存储器子阵列的一个实施例。

图4示出了图3中所示实施例的一种可能操作方法。

图5示出了存储器的一个实施例。

图6示出了图5中所示实施例的一种可能操作方法。

图7示出了测试存储器以发现弱位的一种可能方法。

图8示出了用于读取存储器并将所存储的数据与先前加载的测试数据进行比较的一种可能方法。

图9示出了计算系统的一个实施例。

尽管本公开容易做出各种修改和替代形式，但附图中以举例的方式示出并将在本文中详细描述其具体实施例。不过应当理解，附图及具体实施方式并非旨在将本公开限制于例示的特定形式，正相反，其目的在于覆盖落在由所附权利要求限定的本公开的实质和范围之内的所有修改、等价要件和替代方案。本文使用的标题仅用于组织的目的，并非意在限制说明书的范围。如在整个本专利申请中所用的那样，以允许的意义(即，意味着具有可能性)而非强制的意义(即，意味着必须)使用“可以”一词。类似地，“包括”一词表示包括但不限于。

各种单元、电路或其他部件可以被描述为“被配置为”执行一项任务或多项任务。在此类语境中，“被配置为”是一般表示“具有”在操作期间执行一项任务或多项任务的“电路系统”的结构的宽泛表述。如此，可以配置单元/电路/部件以在单元/电路/部件即使当前未接通时执行任务。通常，形成对应于“被配置为”结构的电路系统可包括硬件电路。类似地，为了描述中方便，可将各种单元/电路/部件描述为执行一项任务或多项任务。此类描述应当被解释成包括短语“被配置为”。表述被配置为执行一项或多项任务的单元/电路/部件明确地旨在不援引35U.S.C.§112第六段对该单元/电路/部件的解释。更一般地，对任何元件的表述都明确旨在不援引35U.S.C.§112第六段针对该元件的解释，除非特别表述了“用于……的装置”或“用于……的步骤”这种语言。

具体实施方式