[发明专利]半导体器件和电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

光接收元件；

用于信号处理的有源元件；以及

光遮挡结构，其在所述光接收元件和所述有源元件之间以覆盖所述有源元件，并且由布线形成，

其中在所述有源元件的外围提供具有比从所述有源元件到所述光遮挡结构的距离更宽的宽度的缓冲区，并且在所述有源元件和所述缓冲区上配置所述光遮挡结构。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一基底，其上形成所述光接收元件；

第二基底，其上形成所述有源元件；以及

布线层，其具有由所述布线在所述第二基底上形成的所述光遮挡结构，

其中，所述第二基底通过所述布线层结合到所述第一基底。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中在其中形成所述第二基底的有源元件的区域中定义光遮挡目标区域和光遮挡非目标区域，在所述光遮挡目标区域中配置所述光遮挡结构，并且在所述光遮挡非目标区域中提供配置所述光遮挡结构的所述布线的交叉部分。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，在其中形成所述第二基底的有源元件的区域中，其中提供多个有源元件的有源元件组分为电路块，所述电路块定义为所述光遮挡目标区域，并且电路块间定义为所述光遮挡非目标区域。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中在所述有源元件组的外围提供具有比从所述有源元件组到所述光遮挡结构的距离更宽的宽度的缓冲区，并且在所述有源元件组和所述缓冲区上配置所述光遮挡结构。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中从平行排列的第一布线和第二布线构成所述光遮挡结构，在与所述第一布线不同的布线层上形成并且在其中所述第二布线的至少一部分在平面位置重叠所述第一布线的位置平行排列所述第二布线。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述光接收元件是光电转换元件。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述光接收元件是对于光噪声的高灵敏度模拟元件。

9.一种电子设备，包括：

半导体器件，其包括光接收元件、用于信号处理的有源元件、以及在所述光接收元件和所述有源元件之间以覆盖所述有源元件并且由布线形成的光遮挡结构，以及

信号处理电路，其处理所述半导体器件的输出信号，

其中在所述有源元件的外围提供具有比从所述有源元件到所述光遮挡结构的距离更宽的宽度的缓冲区，并且在所述有源元件和所述缓冲区上配置所述光遮挡结构。