[发明专利]积层体及其制造方法、以及底层形成用组合物有效

专利信息
申请号: 201380004383.3 申请日: 2013-01-28
公开(公告)号: CN103998650A 公开(公告)日: 2014-08-20
发明(设计)人: 安居院绫子;塚本直树;河野贵胤 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: C23C18/18 分类号: C23C18/18;H05K3/18;H05K3/38
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 日本东京港区*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 积层体 及其 制造 方法 以及 底层 形成 组合
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种具有金属层的积层体及其制造方法、以及该方法所使用的底层形成用组合物。

背景技术

目前,在绝缘性基板的表面形成金属图案的配线的金属配线基板,广泛用于电子零件或半导体元件。

该金属配线基板的制造方法主要使用“减成法(subtractive process)”。该减成法是如下的方法:在形成于基板表面的金属层上,设置通过光化射线的照射而感光的感光层,将该感光层成像曝光,然后进行显影而形成光阻图像(resist image),接着将金属层蚀刻而形成金属图案,最后将光阻图像剥离。另外,作为下一代的金属配线基板的制造方法,主要使用“半加成法(semi-additive process)”。该半加成法是如下的方法:在形成于基板表面的无电镀敷金属层上,设置通过光化射线的照射而感光的感光层,将该感光层成像曝光,然后进行显影通过形成光阻图像,在未形成光阻图像的区域形成电镀而成的金属层,接着,将光阻图像剥离后,将无电镀敷金属层的膜厚部分蚀刻而形成金属图案的方法。

在通过这些方法而得的金属图案中,由于通过在基板表面设置凹凸而产生的锚定效果(anchor effect),而表现出基板与金属层之间的密接性。因此,由于所得的金属图案的基板界面部的凹凸,而有用作金属配线时的高频特性变差的问题。另外为了对基板表面进行凹凸化处理,而需要利用铬酸等强酸对基板表面进行处理,因此也有为了获得金属层与基板的密接性优异的金属图案,而需要繁杂的步骤的问题。

作为解决该问题的手段,专利文献1中提出在绝缘性基板的表面涂布包含丙烯腈丁二烯橡胶(acrylonitrile butadiene rubber,NBR)的无电镀敷用底层粘接剂的方法。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开昭62-250086号公报

发明内容

发明要解决的课题

另一方面,近年来,为了应对电子设备的小型化、高功能化的要求,而在印刷配线板等中进行配线的进一步微细化及高集成化。随之要求基板与金属层的密接性的进一步提高。

此外,将金属层制成微细配线时,维持其表面的净化性成为重要的课题。特别是若在金属层表面存在包含构成金属层的金属离子以外的其他成分的异物等,则在将该金属层图案化而形成微细配线时,产生配线的尺寸精度降低、随之导致印刷配线板自身的性能降低的问题。

本发明人等人参照专利文献1所揭示的发明,使用包含NBR的无电镀敷用底层粘接剂制造具有金属层的积层体。

然而可知,所得的金属层的密接性及表面的净化性无法满足近来所要求的水平。

本发明鉴于上述实际情况而成,目的是提供一种金属层的密接性优异、金属层表面的净化性也优异的积层体及其制造方法。

另外,本发明的目的还在于提供一种该积层体的制造方法中所使用的底层形成用组合物。

解决问题的技术手段

本发明人等人对上述课题进行努力研究,结果发现,通过使用特定粒径的金属氧化物粒子形成底层,并且使用碱性镀敷催化剂液,而可达成上述目的。

即发现,通过以下所示的手段可达成上述目的。

(1)一种积层体的制造方法,其包括:

底层形成步骤,形成包含具有可氢化的共轭二烯化合物单元的聚合物、以及平均粒径为400nm以下的金属氧化物粒子的底层;

催化剂提供步骤,使包含镀敷催化剂或其前驱物且为碱性的镀敷催化剂液、与上述底层接触,而在上述底层上提供镀敷催化剂或其前驱物;以及

镀敷步骤,对提供了上述镀敷催化剂或其前驱物的上述底层进行镀敷,而在上述底层上形成金属层。

(2)如上述(1)所述的积层体的制造方法,其中上述金属氧化物粒子的平均粒径为100mn以下。

(3)如上述(1)或(2)所述的积层体的制造方法,其中上述底层中的上述金属氧化物粒子的含量,相对于上述聚合物与上述金属氧化物粒子的合计质量为25质量%~45质量%。

(4)如上述(1)至(3)中任一项所述的积层体的制造方法,其中上述聚合物是进一步具有含有相互作用性基的单元的聚合物。

(5)如上述(1)至(4)中任一项所述的积层体的制造方法,其中上述聚合物是丙烯腈与丁二烯的共聚物或其氢化产物(hydrogenated product),上述金属氧化物粒子为氧化硅粒子(silica particle)。

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