[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

随着TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）显示技术的不断发展，各种新型半导体元件及其在显示装置中的应用技术也随之得到了飞跃性的进步。

在现有的显示面板TFT的制造过程当中，为了进一步提高显示面板的开口率，通常采用透明的金属氧化物材料（如氧化铟锡ITO）来制作TFT的源漏极以及数据线，这样一种阵列基板沿数据线方向的截面结构可以如图1所示，包括依次形成在透明基板10表面的TFT的栅极11以及栅绝缘层12，数据线13形成在栅绝缘层12的表面，该数据线13采用ITO材料制成，数据线13的表面依次形成有刻蚀阻挡层14以及透明电极15。

与传统的阵列基板相比，这样一种结构的阵列基板制作简单且具有更高的开口率。但其不足之处在于，在如图1所示的阵列基板中，数据线13与透明电极15之间具有较长的一段交叠区域，这样一来，在通电的情况下，由于层级差异，数据线14与透明电极15之间将产生寄生电容Cdc，在数据线14输入驱动信号的瞬间，由于寄生电容的存在，数据线14上电压信号由高到低的变化会使得透明电极15相应发生电压变化，从而引起像素中液晶电压的突然降低，使得显示画面闪烁，数据线延时以及功耗也将随之增加。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种阵列基板及显示装置，可以降低数据线与透明电极之间的寄生电容，提高显示装置的质量。

本实用新型实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括：横纵交叉设置的多条栅线和数据线，所述数据线的表面依次形成有刻蚀阻挡层以及第一透明电极；所述数据线的远离所述栅线的部分与所述栅线同层形成在透明基板的表面，所述数据线在所述栅线区域断开；

所述栅线区域具有源漏金属层的图案，所述源漏金属层的图案与所述栅线绝缘，位于所述栅线两侧的所述数据线通过所述源漏金属层的图案电连接。

进一步地，所述阵列基板还包括：

第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅线与所述数据线的远离所述栅线的部分，在所述栅线区域内，位于所述栅线两侧的所述数据线部分露出在所述第一绝缘层的表面；

在所述栅线区域，所述源漏金属层的图案形成在所述第一绝缘层的表面。

进一步地，其特征在于，所述阵列基板还包括：

TFT的栅极，所述TFT的栅极与所述栅线同层制成；

所述第一绝缘层形成在所述TFT的栅极的表面，在所述TFT的沟道区域，所述TFT的栅极部分露出在所述第一绝缘层的表面。

进一步地，所述阵列基板还包括：

依次形成在所述TFT的栅极表面的所述栅绝缘层以及半导体有源层的图案；

所述半导体有源层的图案采用呈半导体特性的透明金属氧化物材料制成。

或者，所述阵列基板还包括：

形成在所述第一绝缘层表面的栅绝缘层；

所述刻蚀阻挡层形成在所述栅绝缘层的表面；

在所述栅线区域，过孔贯穿所述刻蚀阻挡层和所述栅绝缘层，以暴露出底部的所述第一绝缘层以及所述栅线两侧的所述数据线。

在本实用新型实施例中，所述阵列基板还包括：

第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述栅线与所述数据线；

在所述栅线区域，所述源漏金属层的图案形成在所述第二绝缘层的表面，且所述源漏金属层的图案通过过孔分别与位于所述栅线两侧的所述数据线电连接。

进一步地，所述阵列基板还包括：

形成在所述第一透明电极表面的钝化层的图案，所述钝化层的图案覆盖位于所述栅线区域的源漏金属层的图案；

以及形成在所述钝化层表面的第二透明电极。

其中，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极；

且所述第一透明电极为面状结构，所述第二透明电极为间隔排列的条状结构。

另一方面，本实用新型实施例还提供一种显示装置，所述显示装置可以包括如上所述的阵列基板。