[实用新型]双硅片叠层太阳能电池有效
申请号: | 201320838091.7 | 申请日: | 2013-12-18 |
公开(公告)号: | CN203733822U | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 宋逸 | 申请(专利权)人: | 上海陆亿新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 杨元焱 |
地址: | 201300 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 太阳能电池 | ||
1.一种双硅片叠层太阳能电池,其特征在于,包括串联叠加的两片多晶硅或单晶硅PN结层,上层多晶硅或单晶硅PN结层的上面设有顶层电极层,下面设有连接层;下层多晶硅或单晶硅PN结层的下面设有底层电极层,上面设有连接层;两片多晶硅或单晶硅PN结层通过各自的连接层串联叠加。
2.如权利要求1所述的双硅片叠层太阳能电池,其特征在于:所述多晶硅或单晶硅PN结层包括多晶硅或单晶硅的N型或P型基层以及附着在基层上的P型或N型扩散层,每片多晶硅或单晶硅PN结层的厚度为200~2000纳米,其中多晶硅或单晶硅的N型或P型基层的厚度为30~300微米。
3.如权利要求1所述的双硅片叠层太阳能电池,其特征在于:所述两片多晶硅或单晶硅PN结层按PN结方向一致叠加串联,所述连接层为TCO或ITO透明导电材料薄膜层,厚度为10~1000纳米。
4.如权利要求1所述的双硅片叠层太阳能电池,其特征在于:所述顶层电极层包括内层减反射膜层和表层TCO导电膜层,减反射膜层的厚度为1~150纳米,TCO导电膜层的厚度为20~2000纳米。
5.如权利要求1所述的双硅片叠层太阳能电池,其特征在于:所述底层电极层包括内层氧化铝薄膜层或氧化硅薄膜层和表层金属层。
6.如权利要求5所述的双硅片叠层太阳能电池,其特征在于:所述金属层为双金属层结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的