[实用新型]一种有机发光双面显示装置有效
申请号: | 201320801157.5 | 申请日: | 2013-12-09 |
公开(公告)号: | CN203644784U | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 李伟丽;王向前 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张瑾 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 双面 显示装置 | ||
1.一种有机发光双面显示装置,包括:基板,其上侧沉积有包括多个顶发光有机发光二极管单元和多个底发光有机发光二极管单元的显示功能层,所述显示功能层上侧设置有封装层,其特征在于,在封装层上侧,与顶发光有机发光二极管单元相对应的位置上设置为透光区,与底发光有机发光二极管单元相对应的位置上设置为遮光区;在基板下侧,与顶发光有机发光二极管单元相对应的位置上设置为遮光区,与底发光有机发光二极管单元相对的位置上设置为透光区。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,在封装层的上侧以及基板的下侧,与有机发光二极管单元以外区域相对应的位置上设置为遮光区。
3.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,在封装层上侧贴附有顶发光光选择膜,其中遮光区设置有遮光膜,透光区设置有透光膜。
4.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,在基板下侧贴附有底发光光选择膜,其中遮光区设置有遮光膜,透光区设置有透光膜。
5.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,在封装层上侧沉积有具有不同光透过性能的薄膜,其中遮光区沉积有遮光的薄膜,透光区沉积有透光的薄膜。
6.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,在基板上侧沉积有具有不同光透过性能的薄膜,其中遮光区沉积有遮光的薄膜,透光区沉积有透光的薄膜。
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述顶发光有机发光二极管单元和底发光有机发光二极管单元彼此交错排列。
8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述顶发光有机发光二极管单元的发光区域总面积与底发光有机发光二极管单元相同。
9.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述顶发光有机发光二极管单元的发光区域总面积与底发光有机发光二极管单元不同。
10.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述有机发光二极管单元为有源矩阵有机发光二极管单元或无源矩阵有机发光二极管单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的