[实用新型]质谱仪及其二次离轴检测器

说明书

技术领域

本实用新型涉及质谱仪及其二次离轴检测器。

背景技术

现有的质谱仪主要由离子源、质量分析器和检测器组成，其中检测器通常采用与质量分析器同轴或离轴的结构。

同轴结构主要是指将检测器放置于质谱仪质量分析器的同轴方向，穿过质量分析器的带电样品离子和中性粒子都直接打在检测器上，产生信号的同时，造成了较大的中性粒子噪声，且容易污染检测器，缩短检测器的使用寿命。

离轴结构如一次离轴结构是将检测器放置于与质量分析器轴向成90°的方向上，在检测器的上方增设一高能打拿极。穿过质量分析器的带电样品离子在高能打拿极的电场作用下发生第一次偏转，带电样品离子打在高能打拿极上产生二次电子，电子再进入检测器。进一步的，在质量分析器后端设有带电的偏转电极，带电样品离子在偏转电极的作用下运动方向发生第一次偏转，然后在高能打拿极电场的作用下发生第二次偏转。此两种结构进一步减少了中性粒子噪声的干扰，提高了灵敏度。然而以上结构的偏转区域易受到其他电场的干扰，中性噪声依然存在。

因此，提供一种能够有效屏蔽其他电场干扰的质谱仪及其检测器成为本领域内亟待解决的一大技术问题。

实用新型内容

本实用新型要解决现有技术中质谱仪及其检测器易受其他电场干扰的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

本实用新型提出的一种二次离轴检测器，用于采集放大质谱仪的质量分析器释放的离子，包括设置于与所述质量分析器轴向不同方向上的高能打拿极、设置于所述高能打拿极与所述质量分析器之间的偏转电极及与所述高能打拿极轴向相对设置的检测器，其特征在于，所述二次离轴检测器还包括第一偏转屏蔽罩，所述第一偏转屏蔽罩罩设于所述高能打拿极与检测器外部，所述第一偏转屏蔽罩上设有一第一开孔。

根据本实用新型的一实施方式，所述二次离轴检测器还包括第二偏转屏蔽罩，所述第二偏转屏蔽罩罩设于所述偏转电极外部，所述第二偏转屏蔽罩上设有两第二开孔和第三开孔，所述两第二开孔对应第一开孔的位置，所述第三开孔对应质量分析器的轴线位置。

根据另一实施方式，所述二次离轴检测器还包括出口聚焦透镜组，所述出口聚焦透镜组设于所述质量分析器与所述第三开孔之间。

根据另一实施方式，所述出口聚焦透镜组包括至少一个第一透镜。

根据另一实施方式，所述第一透镜为筒状透镜或片状透镜。

根据另一实施方式，所述二次离轴检测器还包括入口聚焦透镜组，所述入口聚焦透镜组设于所述第一开孔与所述第二开孔之间。

根据另一实施方式，所述入口聚焦透镜组包括至少一个第二透镜。

根据另一实施方式，所述第二透镜为筒状透镜或片状透镜。

根据另一实施方式，所述偏转电极为棒状电极或曲面电极。

为解决上述技术问题，本实用新型提出的技术方案还包括，提出一种质谱仪，包括离子源、质量分析器及离轴检测器，其中，所述离轴检测器为所述的二次离轴检测器。

由上述技术方案可知，本实用新型提出的质谱仪及其二次离轴检测器，采用了二次离轴的结构，第一偏转屏蔽罩的设置有效屏蔽了外界电场对质谱仪及其二次离轴检测器的干扰。进而使本实用新型提出的质谱仪及其二次离轴检测器具有较高的灵敏度及较长的使用寿命。

附图说明

图1是本实用新型二次离轴检测器的第一实施方式的结构示意图；

图2是本实用新型二次离轴检测器的第二实施方式的结构示意图。

其中，附图标记说明如下：

1.质量分析器；2.出口聚焦透镜组；20.第一透镜；3.入口聚焦透镜组；30.第二透镜；4.偏转电极；5.高能打拿极；6.检测器；7.第二偏转屏蔽罩；70.第二开孔；71.第三开孔；8.第一偏转屏蔽罩；80.第一开孔。

具体实施方式

体现本实用新型特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本实用新型能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本实用新型的范围，且其中的说明及图示在本质上是作说明之用，而非用以限制本实用新型。

本实用新型提出的二次偏转检测器主要用于采集并放大质谱仪的质量分析器1释放的离子信号，亦可用于其他离子分析检测设备中。

实施方式1

如图1所示，本实用新型的质谱仪及其二次偏转检测器主要包括出口聚焦透镜组2、入口聚焦透镜组3、偏转电极4、高能打拿极5、检测器6及第一偏转屏蔽罩8。其中高能打拿极5及检测器6均可采用传统结构。