[实用新型]一种全背场太阳能电池片有效
申请号: | 201320775902.3 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN203674223U | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 张为国;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 全背场 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及光伏设备技术领域,尤其涉及一种全背场太阳能电池片。
背景技术
目前光伏科学家探索了各种各样的电池新技术和新结构来改进电池性能提高其光电转换效率:选择性发射结技术、双层减反射膜技术和异质结太阳能电池结构以及背接触太阳电池等。
高效低成本一直以来都是业界追求的理念,然而选择性发射结技术和双层减反射膜的技术目前效率提升空间有限;异质结太阳能电池结构以及背接触太阳电池虽然效率提升很多,但是成本太高,目前很难大规模应用。
所以现有技术很难同时满足高效低成本的要求,因此,有必有提出一种新的电池片结构在基本不增加设备成本的前提下,仅通过利用现有的条件来进一步提升太阳电池的转化效率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一种全背场太阳能电池片,其具有较高的转化效率,且结构简单,制造成本较低。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种全背场太阳能电池片,包括接受太阳辐射的正面和背对太阳辐射的背面,以及设置在所述正面的第一电极和设置在背面的第二电极,其中,所述背面上设置有若干个条形凹槽,所述凹槽内壁和背面均匀的覆盖有金属层。
作为上述全背场太阳能电池片的一种优选方案,所述第二电极设置在位于凹槽内的金属层上。
作为上述全背场太阳能电池片的一种优选方案,所述凹槽的深度为电池片厚度的1/10-1/8,其宽度为电池片长度的1/16-1/5。
作为上述全背场太阳能电池片的一种优选方案,若干个所述凹槽底面的总面积不大于电池片正面面积的一半。
作为上述全背场太阳能电池片的一种优选方案,若干个所述凹槽底面的总面积为电池片正面面积的1/4-1/2。
作为上述全背场太阳能电池片的一种优选方案,至少设置有两个所述第二电极。
作为上述全背场太阳能电池片的一种优选方案,所述第二电极间隔的设置在不同的凹槽内。
作为上述全背场太阳能电池片的一种优选方案,所述第二电极和金属层由相同的金属材料制成。
作为上述全背场太阳能电池片的一种优选方案,所述第二电极和金属层由不同的金属材料制成。
作为上述全背场太阳能电池片的一种优选方案,所述第二电极和金属层由金属单质或者金属混合物制成。
本实用新型的有益效果为:本申请提供了一种全背场太阳能电池片,其通过在电池片背面设置凹槽结构,并凹槽内壁和背面均匀的覆盖有金属层。由此增加了背面场的面积,以及增大了背面钝化区域,同时还提高了光的背反射,提高了开路开压与短路电流,进而提升了电池的转化效率。同时本申请将第二电极设置在凹槽内,可大大减少层压隐裂的风险,提高了电池片的良品率,降低了制造成本。
附图说明
图1是本实用新型具体实施方式提供的全背场太阳能电池片的结构示意图。
其中:
1:正面;2:背面;3:第一电极;4:第二电极;5:凹槽;6:金属层。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。
如图1所示,在此实施方式中,本申请提供了一种全背场太阳能电池片,其包括接受太阳辐射的正面1和背对太阳辐射的背面2,以及设置在所述正面1的第一电极3和设置在背面2的第二电极4,其中,背面2上设置有若干个条形凹槽5,凹槽5内壁和背面2均匀的覆盖有金属层6。
在本实施方式中,通过在电池片的背面2设置凹槽5,并且该凹槽5内覆盖有金属层6,由此增加了背面场的面积,以及增大了背面钝化区域。同时还提高了光的背反射,提高了开路开压与短路电流。由此,提升了电池的转化效率。
第二电极4设置在位于凹槽5内的金属层上,将电极设置在凹槽5内,可大大减少层压隐裂的风险,提高了电池片的良品率,降低了制造成本。
作为优选的,凹槽5的深度为电池片厚度的1/10-1/8,其宽度为电池片长度的1/16-1/5。
若干个凹槽5底面的总面积不大于电池片正面1面积的一半。其中,凹槽5底面指的是附图1中指示的A面。作为优选的,若干个凹槽5底面的总面积为电池片正面1面积的1/4-1/2。
上述电池片的背面2至少设置有两个所述第二电极4。且第二电极4间隔的设置在不同的凹槽5内。作为优选的,第二电极4均匀的排布在凹槽5内,当然也不排除第二电极4不均匀排布的情况。
第二电极4和金属层6由相同的金属材料制成,或者第二电极4和金属层6由不同的金属材料制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320775902.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:管母焊接平台
- 下一篇:晶圆级封装结构和指纹识别装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的