[实用新型]改进型超薄贴片二极管有效
申请号: | 201320771777.9 | 申请日: | 2013-11-28 |
公开(公告)号: | CN203562436U | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 蒋李望;王毅;王双 | 申请(专利权)人: | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 周全 |
地址: | 225008 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改进型 超薄 二极管 | ||
技术领域
本实用新型涉及对太阳能光伏用超薄贴片二极管结构的改进。
背景技术
本申请人于2011年12月20日递交的申请号为201120535478.6,名称“超薄贴片二极管”的专利申请,于2012-08-08被授予专利权,公告号:CN202373578U。该技术转化为产品后,一直得到市场的认可,其较薄的厚度,适用于光伏行业。
当初这样的设计过度偏重与散热和减薄这两个角度,图11-12所示。实际生产及顾客使用过程中发现了以下问题:超薄贴片二极管中的引线由于背面裸露,容易与封装体分离或产生裂隙,一定程度上影响产品的使用状况,如图13所示。
实用新型内容
本实用新型针对上述问题,提供了一种改进型超薄贴片二极管,提高引线与封装体之间的连接强度,进而能有效避免引线承受偏载时,易与封装体剥离的问题。
本实用新型的技术方案是:包括芯片、引线一、封装体和引线二,所述封装体将所述芯片封闭地连接在所述引线一和引线二的顶面上,还包括引线封装体强化连接结构。
所述引线封装体强化连接结构为:在所述引线一和引线二的背面加设封装后背。
在所述封装后背上开设有横槽。
所述横槽的上缘低于引线一的下边,横槽的下缘高于引线二的上边。
在所述封装后背上开设有纵槽。
所述纵槽的两侧缘均处于引线一、二两侧边的内侧。
所述引线封装体强化连接结构为:将所述引线一和/或引线二的内端头进行翻角加工。
所述翻角的折弯的方向是朝向芯片安装面的方向。
本实用新型结构简单,设计合理,无需改变超薄贴片二极管的基本结构,只需修改封装模具或增加引线翻角工序,在保留原有超薄贴片二极管结构紧凑,产品体积较小较薄,散热效果好的前提下,通过增加封装后背,或在增加封装后背的基础上增设横槽或纵槽,或改进引线结构,形成加强角,最终达到增加引线与封装体的连接强度,有效的解决了引线与封装体剥落的问题,提升了产品质量,保证了产品的寿命。
附图说明
图1是本实用新型第一种实施方案的结构示意图;
图2是本实用新型第二种实施方案的结构示意图;
图3是图2的右视图;
图4是本实用新型第三种实施方案的结构示意图;
图5是图4的右视图;
图6是本实用新型第四种实施方案的结构示意图;
图7是图6的右视图;
图8是本实用新型第四种实施方案进一步优化方案的结构示意图;
图9是本实用新型中引线二的结构示意图;
图10是图9的右视图;
图11是本实用新型背景技术的结构示意图;
图12是图11的右视图;
图13是本实用新型背景技术的缺陷示意图。
图中1是引线一,11是加强角,2是芯片,3是封装体,31是封装后背,311是横槽,312是纵槽,4是引线二,41是加强角。
具体实施方式
本实用新型如图1-10所示,包括芯片2、引线一1、封装体3和引线二4,所述封装体3将所述芯片2封闭地连接在所述引线一1和引线二4的顶面上,还包括引线封装体强化连接结构。
本实用新型的引线封装体强化连接结构有两类主要构思,一类是对封装体结构进行改进,二类是对引线结构进行改进。
第一类有以下主要三种实施方式:
本实用新型的第一种实施方式如图1所示,在引线一1和引线二4的背面加设封装后背31。在具体加工时,封装后背31与封装体3连为一体,对模具加以改进即可实施。一般情况下封装后背31的厚度控制在0.3-1mm。
本实用新型的第二种实施方式如图2-3所示,实质上是在第一种实施例的基础上,在封装后背31上开设横槽311,横槽311底面与引线一1的底面可以处于同一平面,甚至进一步“深入”封装体内。开设横槽311后局部(槽底部位)仍保持较薄的状态,一是便于散热(槽自身也具有通风效果),二是减少了材料利用,三是降低了产品的质量。对于所开设的横槽311,优化实施方式是:横槽311的上缘应低于引线一1的下边,横槽311的下缘高于引线二4的上边;这样能确保引线一1、引线二4仍保持在封装后背31的约束之下。
本实用新型的第三种实施方式如图4-5所示,实质上是在第一种实施例的基础上,在封装后背31上开设纵槽312。开设纵槽312后除保留了第二实施方式的优点外,材料利用更少,产品的质量更低。但该纵槽312的两侧缘均应处于引线一1、引线二4两侧边的内侧,以便形成有效的约束。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的