[实用新型]改进型超薄贴片二极管有效
申请号: | 201320771777.9 | 申请日: | 2013-11-28 |
公开(公告)号: | CN203562436U | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 蒋李望;王毅;王双 | 申请(专利权)人: | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 周全 |
地址: | 225008 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改进型 超薄 二极管 | ||
1.改进型超薄贴片二极管,包括芯片、引线一、封装体和引线二,所述封装体将所述芯片封闭地连接在所述引线一和引线二的顶面上,其特征在于,还包括引线封装体强化连接结构。
2.根据权利要求1所述的改进型超薄贴片二极管,其特征在于,所述引线封装体强化连接结构为:在所述引线一和引线二的背面加设封装后背。
3.根据权利要求2所述的改进型超薄贴片二极管,其特征在于,在所述封装后背上开设有横槽。
4.根据权利要求3所述的改进型超薄贴片二极管,其特征在于,所述横槽的上缘低于引线一的下边,横槽的下缘高于引线二的上边。
5.根据权利要求2所述的改进型超薄贴片二极管,其特征在于,在所述封装后背上开设有纵槽。
6.根据权利要求5所述的改进型超薄贴片二极管,其特征在于,所述纵槽的两侧缘均处于引线一、二两侧边的内侧。
7.根据权利要求1所述的改进型超薄贴片二极管,其特征在于,所述引线封装体强化连接结构为:将所述引线一和/或引线二的内端头进行翻角加工。
8.根据权利要求7所述的改进型超薄贴片二极管,其特征在于,所述翻角的折弯的方向是朝向芯片安装面的方向。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的