[实用新型]一种用于生长SiC晶体的坩埚有效
| 申请号： | 201320764032.X | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN203546203U | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 邓树军;高宇;陶莹;赵梅玉;段聪 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 071000 河北省保定市北二*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 sic 晶体 坩埚 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于生长SiC晶体的坩埚，包括：坩埚筒体、坩埚顶盖和坩埚底盖，坩埚筒体分别与坩埚顶盖和坩埚底盖可拆卸的固定连接；其特征在于：
所述坩埚筒体包括圆筒状的外筒，所述外筒底部设有一圈向内延伸的环形底板，所述外筒内部设置有与所述外筒平行的圆筒状的内筒，所述内筒与所述外筒通过所述环形底板进行连接，所述内筒的内部为上下贯通的空槽；
所述坩埚顶盖和所述坩埚底盖均设有一带开口的空腔；
所述外筒的顶部与所述坩埚顶盖的空腔开口端可拆卸固定连接；
所述外筒的底部与所述坩埚底盖的空腔开口端可拆卸固定连接。
2.根据权利要求1所述一种用于生长SiC晶体的坩埚，其特征在于：
所述外筒的顶部与所述坩埚顶盖的空腔开口端螺纹连接；
所述外筒的底部与所述坩埚底盖的空腔开口端螺纹连接。
3.根据权利要求1或2所述一种用于生长SiC晶体的坩埚，其特征在于，所述坩埚顶盖、所述坩埚底盖和所述坩埚筒体的材料均为石墨。
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