[实用新型]用于压阻式压力传感器的敏感元件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种压阻式压力传感器，尤其涉及一种用于压阻式压力传感器的敏感元件。

背景技术

现代工业生产、工业控制测量中压力传感器的作用越来越重要。很多压力压强测量部件，如汽车发动机压力传感器，火炮膛压测量传感器，核爆炸或化学爆炸冲击波以及地震波的测量传感器，要求较高的工作温度（如200 ℃以上），同时要求传感器的响应时间短，测量精度高。

与其它类型的压力传感器相比，压阻式压力传感器的特点在于易于加工，信号易于测量。典型的压阻式压阻式压力传感器的结构采用P型硅衬底上外延N型硅，形成反偏PN结绝缘层，再利用硅扩散工艺形成P型压力敏感薄膜。当压力作用在敏感薄膜上时，膜内出现径向和切向应力，通常在薄膜的周边应力最大的区域用刻蚀法形成4个压敏电阻，并形成惠斯通电桥来测量压力大小。硅衬底通过MEMS等微加工技术制作成硅杯，最后形成引线和金属电极。随着温度的提高，反偏PN结绝缘层漏电流会迅速增加，因此依靠反偏PN结绝缘的压阻式压力传感器只能工作在125℃以下。

发明内容

本实用新型提供一种用于压阻式压力传感器的敏感元件，此敏感元件既大大提升了量程，又提高了感应的精度和灵敏性；且电阻率一致性好，能够提高压力传感器的信号线性度，高的响应频率且能提高产品的成品率。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种用于压阻式压力传感器的敏感元件，所述敏感元件包括由圆形基底层和位于圆形基底层周向的环形侧板组成的杯形衬底、位于圆形基底层上表面的二氧化硅隔离层，此二氧化硅隔离层与圆形基底层相背的表面设有至少四条掺硼P型微晶硅条，一金属电极层位于所述掺硼P型微晶硅条与二氧化硅隔离层相背的表面，此掺硼P型微晶硅条之间填充有二氧化硅绝缘层；所述至少四条掺硼P型微晶硅条包括至少2条位于圆形基底层内圈处的第一掺硼P型微晶硅条和至少2条位于圆形基底层外圈处的第二掺硼P型微晶硅条；

所述第一、第二掺硼P型微晶硅条为由若干根沿径向排列的微晶硅电阻丝首尾连接组成，所述金属电极层包括输入电极区、输出电极区和中间电极区，所述输入电极区一端连接到第一掺硼P型微晶硅条一端，所述输出电极区一端连接到第二掺硼P型微晶硅条一端，中间电极区两端分别连接到相邻所述第一、第二掺硼P型微晶硅条各自的另一端。

上述技术方案中进一步的改进技术方案如下：

1. 上述方案中，位于所述圆形基底层的内圈处的第一掺硼P型微晶硅条数目等于位于圆形基底层的外圈处的第二掺硼P型微晶硅条数目。

2. 上述方案中，所述第一、第二掺硼P型微晶硅条等间隔排列。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型用于压阻式压力传感器的敏感元件，其压力敏感层薄膜附着力强，能够增加压力传感器的有效寿命和测量精度的长期稳定性；其电阻率一致性好，能够提高压力传感器的信号线性度，高的响应频率且能提高产品的成品率；其次，其第一、第二掺硼P型微晶硅条为由若干根沿径向排列的微晶硅电阻丝首尾连接组成，所述金属电极层包括输入电极区、输出电极区和中间电极区，所述输入电极区一端连接到第一掺硼P型微晶硅条一端，所述输出电极区一端连接到第二掺硼P型微晶硅条一端，中间电极区两端分别连接到相邻所述第一、第二掺硼P型微晶硅条各自的另一端；既大大提升了量程，又提高了感应的精度和灵敏性。

附图说明

附图1为本实用新型用于压阻式压力传感器的敏感元件结构示意图；

附图2为本实用新型用于压阻式压力传感器的敏感元件局部结构示意图；

附图3为本实用新型敏感元件的制造工艺流程图。

以上附图中：1、圆形基底层；2、环形侧板；3、杯形衬底；4、二氧化硅隔离层；5、掺硼P型微晶硅条；51、第一掺硼P型微晶硅条；52、第二掺硼P型微晶硅条；6、金属电极层；61、输入电极区；62、输出电极区；63、中间电极区；7、二氧化硅绝缘层；8、微晶硅电阻丝。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：