[实用新型]一种多层结构透明导电薄膜有效
| 申请号： | 201320755098.2 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN203562434U | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 马鸣晓;唐国彬 | 申请（专利权）人： | 四川融鑫信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01B5/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多层 结构 透明 导电 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种多层结构透明导电薄膜，用于太阳能电池，其特征在于：该透明导电薄膜从下到上依次包括底层、粘接层、中间层和保护层；所述的粘接层为聚氨酯层，厚度为20～30nm；所述的中间层为依次叠加的Bi2O3层，Au层，Bi2O3层，其中Bi2O3层厚度为30～50nm，Au层厚度为20～30nm；所述的保护层为SiO2薄膜，厚度为20～30nm。
2.如权利要求1所述的多层结构透明导电薄膜，其特征在于：所述的底层为有机玻璃PMMA层，厚度为20～50μm。
3.如权利要求1所述的多层结构透明导电薄膜，其特征在于：所述的粘接层厚度优选为25nm，Bi2O3层厚度优选为40nm，Au层厚度为25nm，保护层厚度优选为25nm，底层厚度优选为35μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川融鑫信息科技有限公司，未经四川融鑫信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320755098.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多参数医疗监控系统
- 下一篇：一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
