[实用新型]一种真空蒸发镀膜装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种镀膜装置，尤其涉及一种真空蒸发镀膜装置。

背景技术

镀膜机主要由进（出）料室、镀膜室、线性硒蒸发源系统、冷却水系统、真空系统及控制系统组成。作为硒薄膜的载体（基片），可以是筒鼓或薄板。非晶硒薄膜镀膜一般使用纯硒做蒸发用的原料，硒在化学元素周期表中属于氧族元素，硒的熔点为217℃，沸点为684.9℃；硒具有光电效应性能，非晶硒薄膜在图片、文件资料以及制图系统等复制设备中作为重要的传递介质而存在。例如，复印机的硒鼓，DR平板探测器的非晶硒光电二极管阵列组件等。

蒸镀非晶硒薄膜的基片一般为玻璃，基片的允许温度范围在50-80℃范围内，基片温度过高会使非晶态的硒转变为晶体硒，而基片温度过低会影响薄膜的结合强度以及基片的应力释放，所以镀膜时如何控制好基片温度就成为影响非晶硒薄膜质量的重要因素。

传统的控温方式一般是在真空室外表面分布有冷却水管或冷却水夹层，真空室内部安装用于烘烤的加热器，二者结合来控制基片的温度，基片温度过高时不能及时将温度降下来，产品合格率不稳定。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种真空蒸发镀膜装置，能够保证镀膜的均匀性，有效避免散热不均匀或冷却过快导致的基片损坏问题，提高产品合格率，且结构简单，易于推广应用。

本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种真空蒸发镀膜装置，包括真空室，所述真空室内设有蒸发源和基片，所述基片的被镀一面在蒸发源之上，其中，所述基片固定在可水平往复运动的金属板上。

上述的真空蒸发镀膜装置，其中，所述真空室的顶部开设有冷却气氛入口,所述冷却气氛入口的一侧通过调节阀与冷却气体气源相连接，另一侧伸入真空室并设置有导气装置。

上述的真空蒸发镀膜装置，其中，所述冷却气体气源为氩气或氦气。

上述的真空蒸发镀膜装置，其中，所述冷却气氛入口的两侧设有分子泵。

上述的真空蒸发镀膜装置，其中，所述金属板和真空室之间设有柔性挡板，所述柔性挡板分布在分子泵的两侧。

上述的真空蒸发镀膜装置，其中，所述金属板面对冷却气氛入口一侧的表面上设有散热槽。

本实用新型对比现有技术有如下的有益效果：本实用新型提供的真空蒸发镀膜装置，将基片固定在可水平往复运动的金属板上，从而保证镀膜的均匀性，有效避免散热不均匀或冷却过快导致基片损坏，提高产品合格率。此外，本实用新型在真空室的顶部开设冷却气氛入口，采用气体冷却的方式，进一步简化真空室内机械结构，通过实时监测基片背后的金属板的温度即基片的表面温度，调整冷却气氛流量，更好地避免因散热不均匀或冷却过快而导致基片损坏，提高产品合格率。

附图说明

图1为本实用新型真空蒸发镀膜装置结构示意图。

图中：

1真空室2蒸发源3基片

4金属板5冷却气氛入口 6调节阀

7分子泵8柔性挡板

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。

图1为本实用新型真空蒸发镀膜装置结构示意图。

请参见图1，本实用新型提供的真空蒸发镀膜装置包括真空室1，所述真空室1内设有蒸发源2和基片3，所述基片3的被镀一面在蒸发源2之上，其中，所述基片3固定在可水平往复运动的金属板4上。

本实用新型提供的真空蒸发镀膜装置，基片3被镀一面在蒸发源2之上，基片3固定在金属板4上组成基片传输机构，金属板4的材料可以是铜或其他散热良好且耐温的材料，外形尺寸要大于基片3本身，以防止蒸发物质越过金属板污染其他零部件；基片3随金属板4在水平方向做往复运动，保证基片表面的镀膜的均匀性。

本实用新型提供的真空蒸发镀膜装置，真空室1的顶部设置一个冷却气氛入口5，所述冷却气氛入口5的一侧通过调节阀6与冷却气体气源相连接，另一侧伸入真空室1中并设置有导气装置（图未示）。冷却气体气源可以是氩气或氦气。金属板4面对冷却气氛入口5一侧的表面可设置散热槽（图未示），便于冷却气氛通过时迅速带走金属板的热量。在蒸发镀膜过程中，冷却气体会持续通入真空室1吹到基片背后的金属板4散热槽上，气体流量的大小与基片的面积、基片蒸发镀膜时温度多少及其温度变化的速度均有关系。