[实用新型]GaN基LED外延片

权利要求书

1.一种GaN基LED外延片，其特征在于，包括：

衬底；和

外延层，所述外延层位于所述衬底之上，包括依次堆叠的以下结构层：

N型GaN层；

位于所述N型GaN层一侧的第一InGaN/GaN多量子阱层；

位于所述第一InGaN/GaN多量子阱层一侧的第二InGaN/GaN多量子阱层；

位于所述第二InGaN/GaN多量子阱层一侧的P型GaN层，其中，

所述第一InGaN/GaN多量子阱层中的阱层厚度为D1，第二InGaN/GaN多量子阱层中的阱层厚度为D2，D1<D2。

2.如权利要求1所述的GaN基LED外延片，其特征在于，0<D2-D1<1.5nm。

3.如权利要求2所述的GaN基LED外延片，其特征在于，所述第一InGaN/GaN多量子阱层中的阱层厚度为2nm~3nm。

4.如权利要求2所述的GaN基LED外延片，其特征在于，所述第二InGaN/GaN多量子阱层中的阱层厚度为2nm~4.5nm。

5.如权利要求1所述的GaN基LED外延片，其特征在于，所述第一InGaN/GaN多量子阱层的阱层/垒层周期数2≤N1≤6，且N1为整数，并且，所述第二InGaN/GaN多量子阱层的阱层/垒层周期数2≤N2≤6，且N2为整数。

6.如权利要求1所述的GaN基LED外延片，其特征在于，还包括：位于所述衬底与所述外延层之间的本征GaN层。

7.如权利要求1所述的GaN基LED外延片，其特征在于，还包括：位于所述N型GaN层与第一InGaN/GaN多量子阱层之间的应力释放层。

8.如权利要求1所述的GaN基LED外延片，其特征在于，还包括：位于所述第二InGaN/GaN多量子阱层与所述P型GaN层之间的电子阻挡层。

9.如权利要求1-8任一项所述的GaN基LED外延片，其特征在于，还包括：辅助InGaN/GaN多量子阱层，所述辅助InGaN/GaN多量子阱层位于所述N型GaN层与所述第一InGaN/GaN多量子阱层之间且紧邻所述第一InGaN/GaN多量子阱层，用于调节所述GaN基LED外延片的量子阱总体周期数。