[实用新型]电致发光装置有效
申请号: | 201320588502.1 | 申请日: | 2013-09-23 |
公开(公告)号: | CN203456463U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 程鸿飞;张玉欣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示领域,尤其涉及一种电致发光装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED),又称有机电激光显示(Organic Electroluminescence Display,OELD),由于同时具备自发光,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、使用温度范围广、构造及制程简单等优异特性,近来已普遍应用于移动通信终端、个人数字助理(PDA)、掌上电脑等。
OLED装置分为无源矩阵型和有源矩阵型OLED装置,其中有源矩阵型OLED是指每个OLED都由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)电路来控制流过OLED的电流,具有发光效率高和图像显示效果好的特点。
如图1所示,一种现有有源矩阵型OLED显示装置,包括:彩膜基板20和阵列基板10,其中,彩膜基板20包括:基板21,依次设置在基板21上的彩色滤光层、平坦层23、第一电极24、有机发光层(Organic Electro-Luminescence,有机EL)25和第二电极26,其中彩色滤光层包括:黑矩阵221,由黑矩阵221分隔开的色阻块222,阵列基板10包括:第二基板11,依次设置在第二基板11上的薄膜晶体管12阵列、保护层13和连接电极14,连接电极14通过保护层过孔与薄膜晶体管12的漏极连接;最后在彩膜基板20或阵列基板10的边缘涂敷封框胶30,将彩膜基板20和阵列基板10对盒,第二电极26与阵列基板10上的连接电极14一一对应接触,实现电连接。
为了使对盒后连接电极14和第二电极26充分接触,提升薄膜晶体管12和第二电极26电连接的可靠性,连接电极14通常制备得比较厚(一般为2-3微米),但这会导致一是制备时形成薄膜的过程耗时长,二是刻蚀薄膜以形成连接电极14时出现刻蚀困难。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种电致发光装置,在保证薄膜晶体管与第二电极电连接可靠性的同时,还可使连接电极制备过程中的成膜时间缩短,刻蚀难度降低,从而提高生产效率。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
本实用新型的实施例提供一种电致发光装置包括:彩膜基板;所述彩膜基板包括:基板,设置于所述基板上的彩色滤光层、第一电极、有机发光层和第二电极;所述彩色滤光层包括:黑矩阵,由所述黑矩阵分隔开的色阻块;所述彩膜基板还包括:凸台层;所述凸台层设置在所述彩色滤光层和所述第一电极之间,且,位于所述色阻块上方的所述凸台层向远离基板的一侧凸起,形成凸台;所述第一电极、有机发光层和第二电极依次设置在所述凸台层上,且所述第二电极位于所述凸台的上方。
优选地,所述凸台层的总厚度为2~4微米,所述凸台的台阶高度为1.5~2.5微米。
可选地,所述凸台层选用下述之一材料制成,或者下述多种材料制成的复合膜层:
氮化硅,氧化硅,或者感光树脂。
进一步可选地,所述感光树脂为:聚丙烯酸类树脂,或者聚酰亚胺类树脂,或者聚酰胺类树脂。
进一步地,所述彩膜基板,还包括:平坦层,设置在所述彩色滤光层和所述凸台层之间。
进一步地,所述电致发光装置还包括:阵列基板;所述阵列基板包括:第二基板,依次设置在第二基板上的薄膜晶体管、保护层和连接电极;所述保护层设置有保护层过孔,所述连接电极的设置位置与所述彩膜基板的第二电极相对应,所述连接电极通过所述保护层过孔与所述薄膜晶体管的漏极相连。
优选地,所述连接电极的厚度为0.3~1微米。
可选地,所述连接电极选用下述材料中一种或几种制成:铜、钼、锡、铝、银。
可选地,所述保护层选用下述材料中一种或几种制成:氮化硅,氧化硅,或者感光树脂。
本实用新型实施例提供的电致发光装置,在彩膜基板上色阻块的对应位置,形成凸台;然后依次设置第一电极、发光层和第二电极,其中,第二电极位于所述凸台的上方。而彩膜基板与阵列基板对盒后,阵列基板上的连接电极通过与第二电极顶面的接触,从而实现薄膜晶体管与发光器件的电连接,所以,本实用新型实施例通过增加带有凸台的凸台层,垫高第二电极,即可使得阵列基板上连接电极的厚度进一步减薄(本实用新型连接电极的厚度可减至0.3~1微米),从而使连接电极制备过程中的成膜时间缩短,刻蚀难度降低,进而提高生产效率;同时将第二电极垫高,还可保证薄膜晶体管与第二电极电连接的可靠性,也可避免对盒过程中及对盒后彩膜基板与阵列基板相互挤压或摩擦造成的不良,提高良品率。
附图说明
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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