[实用新型]一种像素结构以及阵列基板、液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201320560961.9 申请日: 2013-09-10
公开(公告)号: CN203519984U 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 蔡佩芝 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1345
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 张颖玲;张振伟
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 像素 结构 以及 阵列 液晶 显示装置
【权利要求书】:

1.一种像素结构,包括扫描线、信号线、狭缝电极、可与狭缝电极配合形成电场的耦合电极和薄膜晶体管,所述狭缝电极上形成有多条狭缝;其特征在于,所述扫描线和所述信号线交叉叠置并限定出至少两个子区域,所述耦合电极包括至少两个分别位于一所述子区域的子电极;所述狭缝电极对应所有子区域且位于不同子区域的狭缝延伸方向不同。

2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述薄膜晶体管包括位于扫描线上方并与扫描线绝缘的有源层,还包括位于扫描线上方且正投影全部位于扫描线内的漏极;所述信号线位于所述有源层上方并与所述有源层连接,所述漏极与作为源极的所述信号线的相应部分匹配。

3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述扫描线对应于所述薄膜晶体管的部分向一侧或两侧加宽。

4.根据权利要求2或3所述的像素结构,其特征在于,所述子电极中,有两个子电极位于所述信号线的同一侧,这两个子电极通过同层的连接桥连接;所述漏极与所述连接桥连接。

5.根据权利要求4所述的像素结构,其特征在于,所述信号线两侧均包括通过连接桥连接的两个子电极和一个所述薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的漏极均与所述连接桥连接。

6.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构相对于所述扫描线和所述信号线均对称。

7.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述耦合电极为像素电极,所述狭缝电极为公共电极。

8.一种阵列基板,其特征在于,包括如权利要求1至7任一项所述的像素结构。

9.一种液晶显示装置,其特征在于,包括如权利要求8所述的阵列基板。

10.根据权利要求9所述的液晶显示装置,其特征在于,还包括彩膜基板,所述彩膜基板包括黑矩阵层,所述黑矩阵层覆盖所述像素结构之间的区域,还覆盖所述像素结构内的所述扫描线和所述信号线。

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