[实用新型]一种CMOS器件保护电路和CMOS电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路领域，特别是涉及一种CMOS器件保护电路和CMOS电路。

背景技术

CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）是用于电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。随着CMOS集成电路的发展，CMOS工艺目前已进入深亚微米甚至纳米工艺时代，CMOS器件的尺寸在不断缩小，以便给设计带来便利。

随着CMOS器件尺寸的不断缩小，CMOS器件内部氧化层的厚度也越来越薄，其耐压能力相应越来越低，因此，通常在CMOS器件的芯片管脚内部设置有ESD（Electro-Static discharge，静电释放）保护电路，以保护所述CMOS器件的输入输出电路避免被静电放电的瞬态高压损坏。其中，ESD干扰的特点是高电压低能量，干扰脉冲持续时间极短，一般在微秒级甚至纳秒级。

但是，发明人在本申请的研究过程中发现，在实际应用时，CMOS器件有时还会面对中等电压较大能量的干扰，例如，线间串扰或电流浪涌等的产生，会对CMOS器件产生较大能量的干扰，极易对CMOS集成电路中的CMOS器件造成损坏。因此，如何保护CMOS器件，使其免于受到该干扰的影响，成为目前亟需解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种CMOS器件保护电路和CMOS电路，以保护CMOS器件，使所述CMOS器件免于受到大能量的干扰，具体实施方案如下：

一种CMOS器件保护电路，所述CMOS器件保护电路设置在干扰源电路和CMOS器件输入电路之间；其中，

所述CMOS器件保护电路包括：能量转化电路，或能量泄放电路，或能量吸收电路。

优选的，所述能量转化电路包括：电阻、或磁珠或串联的电阻和磁珠，所述能量转化电路的一端与所述干扰源电路相连接，另一端与所述CMOS器件输入电路相连接。

优选的，所述能量泄放电路包括：稳压管或瞬态电压抑制TVS管，所述能量泄放电路的负极端与所述干扰源电路和CMOS器件输入电路的连接线相连接，所述能量泄放电路的正极端接地。

优选的，所述能量吸收电路包括：电容，所述电容的一端与所述干扰源电路和CMOS器件输入电路的连接线相连接，另一端接地。

优选的，

所述能量吸收电路中的电容为nF量级的电容。

相应的，本实用新型还公开了一种CMOS电路，包括：

如上所述的CMOS器件保护电路。

本申请中，提供了一种CMOS器件保护电路，该CMOS器件保护电路设置在干扰源电路和CMOS器件输入电路之间，在所述干扰源电路产生大能量的干扰电压时，所述CMOS器件保护电路可对所述CMOS器件输入电路进行保护，从而避免所述CMOS器件输入电路中的CMOS器件受到所述大能量的干扰电压的干扰。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例公开的一种CMOS器件保护电路的连接关系示意图；

图2为本实用新型实施例公开的一种CMOS器件保护电路的电路原理图；

图3为本实用新型实施例公开的又一种CMOS器件保护电路的电路原理图；

图4为本实用新型实施例公开的又一种CMOS器件保护电路的电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

为了保护CMOS器件免于受到大能量的干扰，保护CMOS电路的正常工作，本申请公开了一种CMOS器件保护电路。