[实用新型]一种CMOS器件保护电路和CMOS电路有效
| 申请号： | 201320509825.7 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN203423485U | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 吴金振;庞师锋 | 申请（专利权）人： | 北京经纬恒润科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100101 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 器件 保护 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种CMOS器件保护电路，其特征在于，
所述CMOS器件保护电路设置在干扰源电路和CMOS器件输入电路之间；其中，
所述CMOS器件保护电路包括：能量转化电路，或能量泄放电路，或能量吸收电路。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述能量转化电路包括：
电阻、或磁珠或串联的电阻和磁珠，所述能量转化电路的一端与所述干扰源电路相连接，另一端与所述CMOS器件输入电路相连接。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述能量泄放电路包括：
稳压管或瞬态电压抑制TVS管，所述能量泄放电路的负极端与所述干扰源电路和CMOS器件输入电路的连接线相连接，所述能量泄放电路的正极端接地。
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述能量吸收电路包括：
电容，所述电容的一端与所述干扰源电路和CMOS器件输入电路的连接线相连接，另一端接地。
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，
所述能量吸收电路中的电容为nF量级的电容。
6.一种CMOS电路，其特征在于，包括：
如权利要求1至权利要求5任一项所述的CMOS器件保护电路。
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