[实用新型]多鳍鳍型场效应晶体管器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子器件领域，并且更具体地涉及半导体器件。

背景技术

半导体器件技术继续发展从而提供更高芯片密度和操作频率。鳍型场效应晶体管(FINFET)是用来帮助在维持适当功率消耗预算时提供所需器件缩放的一类晶体管技术。

第2010/0203732号美国专利公开一种FINFET器件和相关方法，其中每个FINFET可以具有亚光刻尺度宽度。该方法包括在位于衬底上的包含半导体的层上面形成具有多个开口的掩模。然后执行成角度离子注入以向包含半导体的层的第一部分引入掺杂物，其中基本上无掺杂物的剩余部分存在于掩模下面。随后对包含半导体的层的基本上无掺杂物的剩余部分选择性去除包含半导体的层的包含掺杂物的第一部分以提供图案。然后向衬底中传送图案以提供具有亚光刻尺度宽度的鳍结构。

另一类FINFET器件是多鳍FINFET。这一器件通常包括具有覆盖鳍的三栅极的多个间隔开的半导体鳍。FINFET的有效栅极宽度2nh，其中n是鳍数目并且h是鳍高度。因此，可以通过使用多个鳍来获得具有更高接通电流的更宽晶体管。然而，更高鳍数目可能造成更复杂的器件结构，这些器件结构可能带来制作挑战。

实用新型内容

因此鉴于前述背景，本实用新型的目的是提供一种可靠并且容易制作的多鳍FINFET器件。

根据本实用新型的这一和其它目的、特征及优点由一种多鳍鳍型场效应晶体管器件提供，包括：衬底；多个半导体鳍，从所述衬底向上延伸并且沿着所述衬底被间隔开，每个半导体鳍具有相对的第一端和第二端以及在所述第一端与所述第二端之间的中间部分，所述多个半导体鳍中的最外鳍在其外侧表面上包括外延生长阻挡物；至少一个栅极，覆盖所述半导体鳍的所述中间部分；在所述半导体鳍之间的多个凸起外延半导体源极区域，与所述半导体鳍的所述第一端相邻；以及在所述半导体鳍之间的多个凸起外延半导体漏极区域，与所述半导体鳍的所述第二端相邻。

优选地，所述外延生长阻挡物包括化合物，所述化合物包括半导体以及碳和氟中的至少一项。

优选地，所述多个半导体鳍包括硅。

优选地，所述多个半导体鳍包括第一组P沟道鳍和从所述第一组P沟道鳍间隔开的第二组N沟道鳍以限定互补金属氧化物半导体鳍型场效应晶体管器件。

优选地，所述至少一个栅极包括用于所述第一组P沟道鳍和所述第二组N沟道鳍中的每个沟道鳍的相应栅极。

优选地，还包括耦合到所述栅极并且从所述衬底向上延伸而且从所述半导体鳍间隔开的栅极接触区域。

优选地，还包括：源极接触区域，耦合到所述多个半导体鳍的所述第一端；以及漏极接触区域，耦合到所述多个半导体鳍的所述第二端。

根据本实用新型的另一实施例，提供一种多鳍鳍型场效应晶体管器件，包括：衬底；多个硅鳍，从所述衬底向上延伸并且沿着所述衬底被间隔开，每个硅鳍具有相对的第一端和第二端以及在所述第一端与所述第二端之间的中间部分，所述多个硅鳍中的最外鳍在其外侧表面上包括外延生长阻挡物，并且所述外延生长阻挡物包括化合物，所述化合物包括硅以及碳和氟中的至少一项；至少一个栅极，覆盖所述硅鳍的所述中间部分；在所述硅鳍之间的多个凸起外延半导体源极区域，与所述硅鳍的所述第一端相邻；以及在所述硅鳍之间的多个凸起外延半导体漏极区域，与所述硅鳍的所述第二端相邻。

优选地，所述多个硅鳍包括第一组P沟道鳍和从所述第一组P沟道鳍间隔开的第二组N沟道鳍以限定互补金属氧化物半导体鳍型场效应晶体管。

优选地，所述至少一个栅极包括用于所述第一组P沟道鳍和所述第二组N沟道鳍中的每个沟道鳍的相应栅极。

优选地，还包括耦合到所述栅极并且从所述衬底向上延伸而且从所述硅鳍间隔开的栅极接触区域。

优选地，还包括：源极接触区域，耦合到所述多个硅鳍的所述第一端；以及漏极接触区域，耦合到所述多个硅鳍的所述第二端。

通过使用根据本实用新型的实施例，可以至少部分地实现对应的有益效果。

附图说明

图1是根据本实用新型的CMOS多鳍FINFET器件的透视图。

图2A和图2B是分别示出图1的FINFET的鳍形成的侧视和俯视图。

图3A和图3B是分别示出在图1的FINFET的鳍上形成三栅极的侧视和俯视图。

图4是示出用于在图1的FINFET的最外鳍的外侧表面上形成外延生长阻挡物的离子注入步骤的侧视图。