[实用新型]有机发光显示设备

说明书

技术领域

下文的描述涉及一种多晶硅层的制造方法、包括该方法的制造有机发光显示设备的方法、以及使用所述方法制造的有机发光显示设备。 

背景技术

有源矩阵（AM）型有机发光显示设备包括在每个像素中的像素驱动电路，像素驱动电路包括使用硅的薄膜晶体管（TFT），TFT可以由非晶硅或者多晶硅形成。 

由于具有源极、漏极和沟道的半导体有源层由非晶硅（a-Si）形成，所以在像素驱动电路中使用的a-Si TFT具有1cm²/Vs或更低的低电子迁移率。因此，a-Si TFT近来被多晶硅（poly-Si）TFT替代。poly-Si TFT具有比a-Si TFT高的电子迁移率和更安全的光照（light illumination）。因此，poly-Si TFT适合驱动AM型有机发光显示设备和/或适合用作开关TFT的有源层。 

可以根据几种方法来制造poly-Si。这些方法通常可被分类为沉积poly-Si的方法或者沉积和结晶a-Si的方法。 

沉积poly-Si的方法的示例包括化学气相沉积（CVD）、光CVD、氢根（HR）CVD、电子回旋共振（ECR）CVD、等离子体增强（PE）CVD、低压强（LP）CVD等。 

沉积和结晶a-Si的方法的示例包括固相结晶法（SPC）、准分子激光结晶法（ELC）、金属诱导结晶法（MIC）、顺序横向固化法（SLS）等。 

实用新型内容

本实用新型的实施例的多个方面提出一种能解决上述技术问题和/或其他技术问题、并相应地改善结晶生产率和电容器的电容特性的多晶硅层的制造方法、包含该方法的有机发光显示设备的制造方法以及通过利用所述方法制造的有机发光显示设备。 

根据本实用新型的实施例，提供了一种多晶硅（poly-Si）层的制造方法。 该方法包括：在具有第一区域和第二区域的基底上形成非晶硅（a-Si）层；热处理a-Si层以将a-Si层转变为部分结晶Si层；去除因对a-Si层热处理而形成的热氧化物层；用激光束选择性地照射第一区域以使部分结晶Si层结晶。 

该方法可以进一步包括在a-Si层形成之前在基底上形成缓冲层。 

基底可以具有包括所述第一区域的多个第一区域和包括所述第二区域的多个第二区域。所述多个第一区域和所述多个第二区域可以彼此交替并且分开。 

部分结晶Si层的结晶度可以在65%和80%之间的范围内。 

对a-Si层进行热处理可以包括以650℃和780℃之间温度对a-Si层热处理；a-Si层部分地结晶为部分结晶Si层；并且在部分结晶Si层上形成热氧化物层。 

用激光束选择性地照射第一区域进行可以包括：用激光束选择性地照射第一区域上的部分结晶Si层；和使部分结晶Si层结晶，以将部分结晶Si层转变为poly-Si层。 

Poly-Si层可以具有比部分结晶Si层的结晶度高的结晶度。 

Poly-Si层的结晶结构可以不同于部分结晶Si层的结晶结构。 

Poly-Si层的晶粒尺寸可以随机形成。 

Poly-Si层可以沿基于部分结晶Si层的晶粒的纵向中心轴的两个方向生长。 

部分结晶Si层的晶粒尺寸可以均匀形成。 

去除热氧化物层可以包括使用缓冲氧化蚀刻剂（BOE）或者氟化氢（HF）。 

激光束可以是准分子激光束。 

根据本实用新型的另一个实施例，提供了一种有机发光显示设备。该有机发光显示设备包括基底，基底具有第一区域和第二区域；和在基底上的多个发光设备。每个发光设备包括沿纵向方向排列的薄膜晶体管（TFT）、发光单元和电容器，所述多个发光设备中的沿纵向方向彼此相邻的发光设备被布置为使得TFT彼此相邻和/或使得电容器彼此相邻。 

所述多个发光设备中的相邻的发光设备的TFT可以位于第一区域中。 

所述多个发光设备中的相邻的发光设备的电容器可以位于第二区域中。 

TFT可以包括：有源层，位于基底上；栅电极，与有源层绝缘并且布置在基底上；源电极和漏电极，与栅电极绝缘并且电连接到有源层，其中，有 源层在第一区域上。 

电容器可以包括：电容器下电极，与有源层在同一层上；电容器上电极，与电容器下电极绝缘，其中，电容器下电极在第二区域上。 

有源层可以是poly-Si层，电容器下电极可以是部分结晶Si层。 

Poly-Si层可以具有比部分结晶Si层的结晶度高的结晶度。