[实用新型]电子元件

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，具体涉及一种电子元件。 

背景技术

随着LED（Light Emitting Diode，发光二极管）照明技术的日益发展，LED在人们日常生活中的应用也越来越广泛。 

采用覆晶（Flip Chip）方式进行封装的LED（以下称覆晶式LED）较一般的立体型LED封装的固晶方式简略许多，拥有更高的信赖度，可避掉杂乱工艺，使得量产可行性大幅晋升，且兼具缩短高温烘烤的制程时间、高良率、导热效果佳、高出光量等优势，遂于市场脱颖而出，是业界竭力开展的技术。通过在覆晶式LED芯片的正负电极所电性连接的基板的结构上进行金球、锡球或共晶焊接，可以实现覆晶式LED芯片的封装。 

现有覆晶式LED芯片散热一般采用氮化铝或三氧化二铝陶瓷基板散热，属于传统材料散热，而传统材料的热导率有限，最高在250w/mk，散热效果差。当覆晶式LED芯片受大电流刺激时，覆晶式LED芯片的发热量高于传统材料的热导率，当发热、导热、散热三种关系不能协调时，容易在覆晶式LED芯片下方形成热库导致覆晶式LED芯片光衰，影响覆晶式LED芯片的使用寿命。 

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型要解决的技术问题是，现有覆晶式LED芯片采用传统材料的基板散热，由于热导率低而影响芯片的使用寿命。 

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种电子元件，包括： 

灌注有热传导介质的导热体30； 

所述导热体30上形成有堆积层，所述堆积层包括交替层叠的至少一个绝缘层60和至少一个导电层50，所述堆积层中与所述导热体30直接接触的为绝缘层60，所述堆积层中位于最外侧的为导电层50，并且各所述导电层50被图案化为导电线路； 

所述堆积层的最外侧导电层50上覆晶安装有至少一个LED芯片70。 

对于上述电子元件，在一种可能的实现方式中，所述LED芯片70包括沿水平方向依次排列的正电极71、负电极72以及隔离区73，其中所述水平方向为与所述最外侧导电层50平行的方向， 

所述隔离区73在所述最外侧导电层50上的垂直投影位于所述正电极71和负电极72在所述最外侧导电层50上的垂直投影之间， 

所述隔离区73在所述水平方向上的中心线与所述LED芯片70在所述水平方向上的中轴线重叠，并且 

所述隔离区73在所述水平方向的宽度L2不超过所述LED芯片在所述水平方向的宽度L0的三分之一。 

对于上述电子元件，在一种可能的实现方式中，所述LED芯片70的正电极71和负电极72均经由锡膏、银胶和共晶焊接方式中的任意一种与所述最外侧导电层50电性接触。 

对于上述电子元件，在一种可能的实现方式中，所述堆积层包括一个绝缘层60和一个导电层50。 

对于上述电子元件，在一种可能的实现方式中，所述堆积层包括交替层叠的多个绝缘层60和多个导电层50，相隔一个绝 缘层60的每两个导电层50的图案化导电线路通过穿过该绝缘层60的连接部分而电性接触。 

对于上述电子元件，在一种可能的实现方式中，所述导热体30包括第一导热板10和第二导热板20，所述第一导热板10与所述第二导热板20结合形成的空腔中内置有网状材料。 

本实用新型将LED芯片覆晶安装在形成有包括绝缘层和导电层的堆积层的导热体上，利用导热体对覆晶LED芯片进行快速散热，与现有技术相比，有利于提高覆晶LED芯片的散热性能，延长使用寿命。 

附图说明

包含在说明书中并且构成说明书的一部分的说明书附图与说明书一起示出了本实用新型的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本实用新型的原理。 

图1a为本实用新型实施例一的电子元件的结构示意图； 

图1b为本实用新型实施例一的电子元件的制造方法的流程图； 

图1c为本实用新型实施例一的电子元件形成第一绝缘层的示意图； 

图1d为本实用新型实施例一的电子元件形成第一导电层的示意图； 

图1e为本实用新型实施例一的电子元件形成导热体的示意图； 

图2a为本实用新型实施例二的电子元件的结构示意图； 

图2b为本实用新型实施例二电子元件的制造方法的流程图； 

图3为根据本实用新型一实施例的电子元件的LED芯片的 示意图。 

附图标记说明：