[实用新型]基于玻璃基板的LED器件有效

专利信息
申请号: 201320398782.X 申请日: 2013-07-05
公开(公告)号: CN203415625U 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 钱涛;孙明 申请(专利权)人: 苏州热驰光电科技有限公司;上海超正光电子有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 陆明耀;姚姣阳
地址: 215022 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 玻璃 led 器件
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种LED器件,尤其是一种采用玻璃基板的LED器件,属于照明技术领域。 

背景技术

LED作为一种固态半导体照明技术,实现照明的过程必须通过LED芯片固定在线路板上实现。LED线路板的材料目前均为金属基(铝、铜等)、树脂基(FR4、PI等)、陶瓷基(氧化铝、氮化铝等),这些材料大多因为其绝缘性能良好和导热性良好而被用作以用途。目前还未有LED线路板采用玻璃基板,原因是玻璃基板导热性较差、耐热性较差以及无法直接在玻璃基板上完成线路板工艺。而且一旦玻璃基板过热,还有裂开的风险。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于解决上述的技术问题,提供一种基于玻璃基板的LED器件。 

本实用新型的目的通过以下技术方案来实现: 

一种基于玻璃基板的LED器件,包括玻璃基板,通过气相沉积技术制备于所述玻璃基板上的DLC涂层,所述DLC涂层的上方设有LED芯片和电极,所述LED芯片和电极之间通过导线电性导通。

优选的,所述DLC涂层厚度为100埃~250埃。 

优选的,所述电极为相互结合的电极底层和电极表层,所述电极底层为Cr涂层,所述电极表层为Ni涂层。 

优选的,所述Cr涂层厚度为200埃~400埃。 

优选的,所述Ni涂层厚度为8000埃~20000埃。 

优选的,所述导线为金线或铜线。 

优选的,所述DLC涂层完全覆盖所述玻璃基板的上表面。 

优选的,所述电极设于LED芯片的两侧。 

本实用新型的有益效果主要体现在: 

1.采用普通玻璃作为LED线路板的基板可以使得光源全周发光,避免传统基板不透光致使光源只能在180°之内发光的缺陷,光线能得到充分利用,减少热量产生。

2.采用气相沉积技术在玻璃基板上制作线路,确保线路具有良好的附着性和导电特性,同时在玻璃基板上沉积一层类金刚石材料,大幅改善LED线路板的导热能力。 

附图说明

图1为本实用新型基于玻璃基板的LED器件的结构示意图。 

其中:1、LED芯片;2、玻璃基板;3、DLC涂层;4、Cr涂层(电极底层);5、Ni涂层(电极表层);6、导线。 

具体实施方式

类金刚石涂层(Diamond-like Carbon),或简称DLC涂层是含有金刚石结构sp3键和石墨结构sp2键的亚稳非晶态物质。DLC涂层由于其自身的特性具有诸多优异性能,如高硬度、高耐磨性、化学性能稳定、高光致发光率和高电致发光率、以及优异的热转化效率和导热性能等。 

涂层技术中,物理气相沉积是指通过蒸发、电离或溅射等过程,产生金属粒子并与反应气体反应形成化合物沉积在工件表面,简称PVD。目前常用的PVD镀膜技术主要分为三类,为真空蒸发镀膜技术、真空溅射镀膜技术和真空离子束镀膜技术。其中,真空磁控溅射镀膜技术是用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面,沉积在基板上。真空离子束镀膜技术是指在真空环境下被引入的气体在离子束的电磁场共同作用下被离子化;被离子化的离子在离子束和基片之间的电场作用下被加速,并以高能粒子的形式轰击或沉积在基片上;被引入的气体根据工艺的需要,可能为Ar,H2或C2H2等,从而完成离子刻蚀清洗和离子束沉积等工艺。但是对于不同能量的选择和不同的制备工艺,所制备的产品就能得到不同的性能。 

如图1所示,本实用新型揭示了一种基于玻璃基板的LED器件,包括玻璃基板2,设于所述玻璃基板2上的DLC涂层3,所述DLC涂层3完全覆盖所述玻璃基板2的上表面。所述DLC涂层3的上方设有LED芯片1和电极,所述电极为相互结合的电极底层和电极表层,所述电极底层为Cr涂层4,所述电极表层为Ni涂层5。 

所述电极设于LED芯片1的两侧。所述LED芯片1和电极之间通过导线6电性导通。所述导线6为金线或铜线。 

本实用新型的基于玻璃基板的LED器件的具体制备方法包括如下步骤: 

S1、采用超声波清洗技术对玻璃基板进行表面清洗;

S2、清洗完的玻璃基片置于镀膜真空室内,抽至1*10-4Pa以上的真空度;

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