[实用新型]一种双面透光纳米线织构异质结太阳能电池有效
| 申请号： | 201320390317.1 | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN203325919U | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 赵会娟;张东升 | 申请（专利权）人： | 国电光伏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214213 江苏省无锡市宜兴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双面 透光 纳米 线织构异质结 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种双面透光纳米线织构异质结太阳能电池，其特征在于：包括晶硅基层(1)，所述晶硅基层(1)前表面依次设有第一本征硅薄膜(2)、第一掺杂硅薄膜(3)和正电极(4)，所述晶硅基层(1)前表面为纳米线织构(5)，所述晶硅基层(1)后表面依次设有第二本征硅薄膜(6)、第二掺杂硅薄膜(7)、透明导电层TCO(8)和后电极(9)。
2.根据权利要求1所述的双面透光纳米线织构异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一本征硅薄膜(2)和第二本征硅薄膜(6)是本征氢化非晶硅、本征氢化微晶硅或本征纳米晶硅中的一种。
3.根据权利要求1所述的双面透光纳米线织构异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一掺杂硅薄膜(3)和第二掺杂硅薄膜(7)是掺杂氢化非晶硅、掺杂氢化微晶硅或掺杂纳米晶硅中的一种。
4.根据权利要求1所述的双面透光纳米线织构异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一本征硅薄膜(2)和第二本征硅薄膜(6)厚度为8nm，所述第一掺杂硅薄膜(3)和第二掺杂硅薄膜(7)厚度为10～15nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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