[实用新型]一种基于S3C2440A实现嵌入式操作平台电路的装置有效

专利信息
申请号: 201320347327.7 申请日: 2013-06-18
公开(公告)号: CN203376751U 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: 栗永强;张永坡;贺永亮 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十一研究所
主分类号: G06F15/78 分类号: G06F15/78
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 233010 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 s3c2440a 实现 嵌入式 操作 平台 电路 装置
【说明书】:

技术领域

    实用新型涉及操作平台电路领域,具体为一种基于S3C2440A实现嵌入式操作平台电路的装置。

背景技术

基于S3C2440A的嵌入式操作平台主要由处理器+闪存+动态存储器组成,该操作平台电路设计复杂,在实际应用中占据了印制板上较大的空间。由于该操作平台性价比高,技术成熟,在工业控制、仪器仪表行业有着广泛的应用,在整个电路架构体系上用户一直采用厂家推荐使用的电路形式,该电路形式内存采用两片存储器构成,存储器封装大、尺寸大、占用空间大,存储器控制总线、地址总线、数据总线交叉布线,特别是在和其它外设互连时,布线复杂,给用户设计带来很多不便。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种基于S3C2440A实现嵌入式操作平台电路的装置,以解决现有技术操作平台电路设计复杂的问题。

为了达到上述目的,本实用新型所采用的技术方案为:

一种基于S3C2440A实现嵌入式操作平台电路的装置,其特征在于:包括微处理器S3C2440A和存储器,微处理器S3C2440A的时钟信号口与存储器的时钟信号口连接,微处理器S3C2440A的标志位口一一对应与存储器的行选择标志位、列选择标志位、读写标志位、片选标志位连接,微处理器S3C2440A的地址总线口分别一一对应接至存储器的地址总线口,微处理器S3C2440A的高位地址口分别一一对应接至存储器的Bank选择口,微处理器S3C2440A的数据总线口分别一一对应接至存储器的数据总线口。

所述的一种基于S3C2440A实现嵌入式操作平台电路的装置,其特征在于:还包括有闪存,微处理器S3C2440A与闪存通过控制总线连接,微处理器S3C2440A的数据总线口还分别一一对应接至闪存的数据总线口。

本实用新型的有益效果是,通过优化内存电路设计,可以实现嵌入式操作平台电路上的紧凑设计,空间上的小型化设计,总体空间可以减少一半,给用户设计带来诸多方便,特别是在便携式、手持式设备上,具有很高的推广应用价值。

附图说明

图1为嵌入式处理器操作平台电路原理框图。

图2为存储器配置寄存器内部定义说明。

具体实施方式

如图1所示。一种基于S3C2440A实现嵌入式操作平台电路的装置,包括微处理器S3C2440A和存储器,微处理器S3C2440A的时钟信号口Sclk0与存储器的时钟信号口clk连接,微处理器S3C2440A的标志位口Nsras与存储器的行选择标志位ras连接,微处理器S3C2440A的标志位口Nscas与存储器的列选择标志位cas连接,微处理器S3C2440A的标志位口Nwe与存储器的读写标志位we连接,微处理器S3C2440A的标志位口Ngcs6与存储器的片选标志位cs连接,微处理器S3C2440A的地址总线口Addr[2..14]分别一一对应接至存储器的地址总线口Abus[0..12],微处理器S3C2440A的高位地址口Addr24、Addr25分别一一对应接至存储器的Bank选择口ba0、ba1,微处理器S3C2440A的数据总线口Data[0..31]分别一一对应接至存储器的数据总线口dbus[0..31]。

微处理器S3C2440A与闪存通过控制总线连接,微处理器S3C2440A的数据总线口Data[0..31]还分别一一对应接至闪存的数据总线口。

根据设计架构要求,存储器选择32bit存储器,行地址为13行,列地址为8行,存储器容量为64MB,满足CPU对内存访问容量的要求,存储器由4个Bank组成。在存储器封装上选择小尺寸BGA封装的元器件,可以大幅减少占用印制板的空间。该芯片的刷新周期为每隔64ms完成对所有的行进行刷新,确保数据不会丢失。在原理设计上,将S3C2440A的地址线14-2,对应连接到存储器12-0,地址线25连接到存储器的ba1, 地址线24连接到存储器的ba0,数据总线和存储器的数据总线对应相连,控制总线和和存储器的相应控制总线一一相连,在图1中给出了基于S3C2440A处理器操作平台电路的原理图,下面给出信号连接线的定义。

Sdram_clk:          存储器系统时钟。

Sdram_ras:          存储器行选择标志位,低电平有效。

Sdram_cas:          存储器列选择标志位,低电平有效。

Sdram_we:               读写标志位,高电平为读,低电平为写。

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