[实用新型]嵌入式系统中OTP存储元件编程控制的电路结构有效
申请号: | 201320308069.1 | 申请日: | 2013-05-29 |
公开(公告)号: | CN203338067U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 邹一照;陈长华;王效;顾宇飞;薛中 | 申请(专利权)人: | 无锡华润矽科微电子有限公司 |
主分类号: | G05B19/05 | 分类号: | G05B19/05 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 嵌入式 系统 otp 存储 元件 编程 控制 电路 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及可编程存储器件领域,特别涉及一次性可编程(One Time Programmable,OTP)存储元件的编程控制技术领域,具体是指一种嵌入式系统中实现对一次性可编程存储元件进行编程控制的电路结构。
背景技术
近年来的半导体集成电路中,存储的信息即使掉电也不会消失的OTP存储元件成为不可或缺的单元。OTP存储器广泛应用于DRAM和SRAM大容量存储器作备份,模拟电路作调谐和密钥等代码的存放,以及制造工艺中作存储履历管理信息用的ID芯片等。
OTP存储器的编程过程是不可逆的破坏活动,仅允许数据写入一次。一般OTP存储器在编程之前的所有位存储单元的逻辑状态都相同(例如所有位存储单元均为逻辑“1”),编程之后,某些位存储单元的状态被取反(例如原来是“1”,编程之后变成“0”),这些状态被取反的位存储单元无法再回到原来缺省的逻辑状态。
传统的OTP编程方法是外接高压电源(比如7.5V),利用高压把所需要编程的存储单元的状态由“1”变为“0”。这种方法在大段程序编程时显得很方便可靠,但在编程极少数字节时,比如整机装配完毕后的校验码,外接高压电源就显得不方便,影响生产成本。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服了上述现有技术中的缺点,提供一种能够适用于整机装配完毕后少数字节编程的场合、无须外接OTP编程所需的高压电源、结构简单实用、显著降低生产成本、工作性能稳定可靠、适用范围较为广泛的嵌入式系统中实现对一次性可编程存储元件进行编程控制的电路结构。
为了实现上述的目的,本实用新型的嵌入式系统中实现对一次性可编程存储元件进行编程控制的电路结构如下:
该嵌入式系统中实现对一次性可编程存储元件进行编程控制的电路结构,其主要特点是,所述的电路结构包括高频振荡器、稳压源、升压调节模块、高压检测模块、电压检测模块、定时控制模块,所述的高频振荡器与所述的定时控制模块相连接,所述的稳压源的输入端与电源电压相连接,且该稳压源的输出端依次通过所述的升压调节模块、嵌入式系统中的微控制单元MCU的复位控制电路与一次性可编程存储元件相连接,所述的高压检测模块与所述的微控制单元MCU的复位控制电路相连接,且所述的电压检测模块与所述的电源电压相连接。
该嵌入式系统中实现对一次性可编程存储元件进行编程控制的电路结构中的升压调节模块为电荷泵。
该嵌入式系统中实现对一次性可编程存储元件进行编程控制的电路结构中的电荷泵包括第二高频振荡器和多倍压控制电路,所述的稳压源的输出端依次通过所述的第二高频振荡器和多倍压控制电路与所述的微控制单元MCU的复位控制电路相连接。
该嵌入式系统中实现对一次性可编程存储元件进行编程控制的电路结构中的多倍压控制电路为三倍压控制电路。
该嵌入式系统中实现对一次性可编程存储元件进行编程控制的电路结构中的多倍压控制电路中还包括有倍压电容,该倍压电容与所述的第二高频振荡器的输出端相连接。
该嵌入式系统中实现对一次性可编程存储元件进行编程控制的电路结构中的微控制单元MCU的复位控制电路包括复位端口、电阻和电容,所述的复位端口通过所述的电阻与电源电压相连接,且该复位端口通过电容接地,所述的升压调节模块和高压检测模块均通过所述的复位端口与所述的一次性可编程存储元件相连接。
采用了该实用新型的嵌入式系统中实现对一次性可编程存储元件进行编程控制的电路结构,由于其中具有高频振荡器、稳压源、电荷泵、高压检测模块、电压检测模块、定时控制模块,并采用了相应的编程控制方法,从而通过使能稳压源,供给电荷泵以产生高压VPP,同时输送到RST端口,并控制OTP烧录过程,由定时控制模块决定OTP编程时间,使得在OTP中烧录少量校验数据时,不需外接高压电源,节省了系统开销和生产成本,端口的复用使得不增加额外占用的端口,烧录过程简单可靠,同时可以适应不同的情况,特别适用于整机装配完毕后少数字节编程的场合,结构简单实用,显著降低生产成本,工作性能稳定可靠,适用范围较为广泛。
附图说明
图1为本实用新型的嵌入式系统中实现对一次性可编程存储元件进行编程控制的电路结构示意图。
图2为采用本实用新型的电路结构实现嵌入式系统中对一次性可编程存储元件进行编程控制过程的整体流程图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本实用新型的技术内容,特举以下实施例详细说明。
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