[实用新型]嵌入式系统中OTP存储元件编程控制的电路结构

权利要求书

1.一种嵌入式系统中OTP存储元件编程控制的电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括高频振荡器、稳压源、升压调节模块、高压检测模块、电压检测模块、定时控制模块，所述的高频振荡器与所述的定时控制模块相连接，所述的稳压源的输入端与电源电压相连接，且该稳压源的输出端依次通过所述的升压调节模块、嵌入式系统中的微控制单元MCU的复位控制电路与一次性可编程存储元件相连接，所述的高压检测模块与所述的微控制单元MCU的复位控制电路相连接，且所述的电压检测模块与所述的电源电压相连接。 

2.根据权利要求1所述的嵌入式系统中OTP存储元件编程控制的电路结构，其特征在于，所述的升压调节模块为电荷泵。 

3.根据权利要求2所述的嵌入式系统中OTP存储元件编程控制的电路结构，其特征在于，所述的电荷泵包括第二高频振荡器和多倍压控制电路，所述的稳压源的输出端依次通过所述的第二高频振荡器和多倍压控制电路与所述的微控制单元MCU的复位控制电路相连接。 

4.根据权利要求3所述的嵌入式系统中OTP存储元件编程控制的电路结构，其特征在于，所述的多倍压控制电路为三倍压控制电路。 

5.根据权利要求3所述的嵌入式系统中OTP存储元件编程控制的电路结构，其特征在于，所述的多倍压控制电路中还包括有倍压电容，该倍压电容与所述的第二高频振荡器的输出端相连接。 

6.根据权利要求1至5中任一项所述的嵌入式系统中OTP存储元件编程控制的电路结构，其特征在于，所述的微控制单元MCU的复位控制电路包括复位端口、电阻（R1）和电容（C1），所述的复位端口通过所述的电阻（R1）与电源电压相连接，且该复位端口通过电容（C1）接地，所述的升压调节模块和高压检测模块均通过所述的复位端口与所述的一次性可编程存储元件相连接。