[实用新型]阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201320306574.2 申请日: 2013-05-30
公开(公告)号: CN203250095U 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 崔贤植;李会;徐智强;严允晟 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L29/423;H01L29/786
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 显示装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及显示领域,尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

液晶显示器因其质量轻、功耗低,辐射小、能大量节省空间等优点,现已取代传统的阴极射线管显示器,广泛应用于各个显示领域,如家庭、公共场所、办公场及个人电子相关产品等。

如图1所示,现有液晶显示器包括显示像素(单元)和用于控制显示数据加载的薄膜晶体管(TFT)。其中,薄膜晶体管通常采用底栅结构(薄膜晶体管的栅极位于半导体层13的下方),具体包括:基板10、上自下而上依次设置在基板10上的栅金属层110、栅绝缘层122、半导体层13和源漏电极层14;显示像素包括:公共电极17、钝化层18、设置在钝化层18上的像素电极20和液晶(位于像素电极20的上方,图中未示出),像素电极20连接至薄膜晶体管的漏极,公共电极17连接至公共电极线190,像素电极20通过TFT加载显示数据,公共电极17与像素电极20产生驱动电场,液晶分子在该驱动电场作用下发生偏转从而显示出图像。

采用底栅结构TFT,栅金属层110可以遮挡从阵列基板侧的背光源发出的光,而外部光(从彩膜基板一侧进入的外部光)则由黑矩阵BM遮挡,但发明人发现:当彩膜基板与阵列基板出现对位偏差时,或者阵列基板的工艺出现不良时,容易发生半导体层露出,此时因外部光的照射导致TFT的漏电流异常增加,结果液晶显示器出现偏绿(Greenish)及水平灰度不均(X-talk)等显示不良。

另外,液晶显示器尤其高分辨率的产品,需要降低公共电极的电阻,否则会因公共电极电阻过大产生延迟,也容易发生液晶显示器偏绿(Greenish)及灰度不均(X-talk)等显示不良,影响画面品质,但如果通过增大公共电极的线宽来降低公共电极的电阻,又会导致开口率减小。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及显示装置,可在不降低透过率的前提下,解决液晶显示器出现偏绿(Greenish)及水平灰度不均(X-talk)等显示不良问题,提高显示装置尤其是高分辨率产品的画面品质。

为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:

一种阵列基板,包括:基板,自下而上依次设置于所述基板上的半导体层、源漏电极层、栅绝缘层,所述阵列基板还包括:

设置在所述栅绝缘层上的第一栅金属层;

设置在所述半导体层的下方的第二栅绝缘层;以及,

设置在所述第二栅绝缘层与所述基板之间的第二栅金属层。

进一步地,所述阵列基板还包括:

第一公共电极线,与所述第一栅金属层位于同一层,或者与所述第二栅金属层位于同一层。

更进一步地,所述的阵列基板还包括:第二公共电极线,

当所述第一公共电极线与所述第一栅金属层位于同一层时,所述第二公共电极线与所述第二栅金属层位于同一层;当所述第一公共电极线与所述第二栅金属层位于同一层时,所述第二公共电极线与所述第一栅金属层位于同一层。

优选地,所述第二公共电极线与所述第一公共电极线并联,且第二公共电极线与第一公共电极线的线宽相同。

进一步地,所述阵列基板还包括:

树脂层,覆盖在所述第一栅金属层上;以及,

用于产生电场以驱动液晶的第一电极、第二电极,以及设置在所述的第一电极、第二电极之间的钝化层,所述第一电极设置在所述树脂层之上,所述第二电极设置在所述钝化层之上。

可选地,所述第一电极通过所述树脂层中的过孔与所述第一公共电极线相连接。

可选地,所述第二电极通过所述树脂层及所述栅绝缘层中的漏极过孔与所述源漏电极层的漏极相连。

优选地,所述第二电极为狭缝状。

本实用新型提供的阵列基板及显示装置,在半导体层的上方和下方分别设置第二栅金属层与第一栅金属层,位于半导体层上方的第一栅金属层遮挡从上方入射的外部光(从彩膜基板一侧进入的光);位于半导体层下方的第二栅金属层遮挡从下方(阵列基板侧的背光源发出的光),这样可防止半导体层受到光照射,避免因光照射导致的TFT漏电流异常增加,并且第一栅金属层和第二栅金属层的位置对应重叠,因此可在不降低透过率的前提下,改善液晶显示器出现的偏绿(Greenish)及水平灰度不均(X-talk)等显示不良问题,提高显示装置的画面品质。

附图说明

图1为一种现有阵列基板的结构示意图;

图2为本实用新型实施例一提供的阵列基板的结构示意图;

图3为本实用新型实施例二提供的阵列基板的结构示意图;

图4为本实用新型实施例四提供的阵列基板的制造方法流程图;

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