[实用新型]太阳能电池电阻测量装置有效
申请号: | 201320287301.8 | 申请日: | 2013-05-24 |
公开(公告)号: | CN203275521U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 陆俊宇;王志刚;易辉;汪燕玲;连维飞;魏青竹 | 申请(专利权)人: | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
主分类号: | G01R27/02 | 分类号: | G01R27/02;G01R31/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215542 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 电阻 测量 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种测量装置,尤其涉及一种太阳能电池电阻测量装置。
背景技术
晶体硅太阳能电池研发、生产过程中,各种电阻是很重要的性能参数,影响到太阳能电池的填充因子和光电转化效率,对其进行测量分析有利于进一步分析太阳能电池的性能,从而提高电池转化效率。电阻测试主要包括金属电极-硅材料之间的金半接触电阻,发射极薄层电阻和金属电极电阻的测试。普通的测试仪器或测试方法只能单独测试其中的某一项,需要结合多种测试仪器测量才能得出各种类型的电阻值,方法相对比较繁琐,而且需要装备多种仪器。并且,目前测试太阳能电池电阻的TLM方法需要对电池片进行激光切割,然后再对金属电极与硅材料之间的接触电阻进行测量,增加了激光切割的设备需求;而且切割后的电池片上电极之间的距离相等,测量不同间距电极则需要跨过一个或多个电极,电极部位电极与硅材料的接触会造成测量的误差。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术存在的以上问题,提供一种太阳能电池电阻测量装置。
为实现本实用新型的目的,太阳能电池电阻测量装置,包括有装置本体,其中:所述的装置本体上设置有绝缘底座,所述的绝缘底座的两则设置有对应分布的引导装置,所述的引导装置一侧连接有探针组件,所述的引导装置另一侧连接有恒压恒流源组件。进一步地,上述的太阳能电池电阻测量装置,其中,所述的引导装置包括有滑轨,所述的滑轨上设置有探针组件,所述的滑轨两端设置有接线柱。
更进一步地,上述的太阳能电池电阻测量装置,其中,所述的探针组件包括有滑块,所述的滑块上设置有伸缩杆,所述的伸缩杆一端设置有接线插头,所述的伸缩杆另一端设置有钨针。
再进一步地,上述的太阳能电池电阻测量装置,其中,所述的装置本体上设置有盒盖。
采用本实用新型技术方案,可以同时对晶体硅太阳能电池的金属电极-硅材料之间的金半接触电阻,发射极薄层电阻和金属电极电阻进行精确测量分析。同时,该装置装备了一个使用不透光材料制作的盒盖,使用探针组件接触电极并通过导线方式连接到外部,满足暗室操作条件,同时便于操作。并且,省去了对硅片的激光切割的前期准备工作。该装置直接测量相邻不等间距电极之间的电阻,避免了电极与硅材料的接触所造成测量的误差。再者,该装置经过简单改造后可以应用于其它一些需要对电池施加恒压恒流电源的测试,如电致发光,热红外成像等。
本实用新型的目的、优点和特点,将通过下面优先实施例的非限制性说明进行图示和解释,这些实施例是参照附图仅作为例子给出的。
附图说明
图1是本太阳能电池电阻测量装置的构造示意图。
图中各附图标记的含义如下:
1绝缘底座 2恒压恒流源组件
3滑轨 4滑块
5接线柱 6伸缩杆
7钨针
具体实施方式
如图1所示的太阳能电池电阻测量装置,包括有装置本体,其与众不同之处在于:本实用新型所采用的装置本体上设置有绝缘底座1,在绝缘底座1的两则设置有对应分布的引导装置。同时,为了更好地进行测量,引导装置一侧连接有探针组件,另一侧连接有恒压恒流源组件2。
结合本实用新型一较佳的实施方式来看,为了能够适应不同规格的太阳能电池,采用的引导装置包括有滑轨3,滑轨3上设置有探针组件,滑轨3两端设置有接线柱5。采用的探针组件包括有滑块4,滑块4上设置有铜质伸缩杆6,所述的伸缩杆6一端设置有接线插头,另一端设置有钨针7。实际使用时,接线插头连接接线柱5,实现探针组件与恒压恒流源组件2的导通,盖上盒盖,让恒压恒流源组件2施加测试电压、电流,进行检测。
这样,依托于伸缩杆6的存在,长度可以自由伸缩,采用材质为铜以降低装置本身的电阻,减小测试误差。并且,探针组件可以在滑轨3上自由移动。为了配合测量需要,探针组件一共有4根,测试时一般只用到两根,另两根为备用。
进一步来看,在装置本体上设置有盒盖。具体来说,采用不透光材质。这样可以有效满足测试过程中的暗室环境要求。
从本实用新型的实施过程来看,如果需要接触电池背面,仅需要在放置电池片的时候在下面垫上一个不锈钢片即可。
通过上述的文字表述并结合附图可以看出,采用本实用新型后有如下优点:
1)可以同时对晶体硅太阳能电池的金属电极-硅材料之间的金半接触电阻,发射极薄层电阻和金属电极电阻进行精确测量分析。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中利腾晖光伏科技有限公司,未经中利腾晖光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320287301.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。