[实用新型]发光组件有效

专利信息
申请号: 201320282743.3 申请日: 2013-05-22
公开(公告)号: CN203322771U 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 潘锡明;郑惟纲;黄知澍;李承鸿;叶时有;蒲计志;杨程光;汤士杰;洪祥富;王子翔 申请(专利权)人: 璨圆光电股份有限公司
主分类号: F21S2/00 分类号: F21S2/00;F21V19/00;H01L25/075;H01L33/48;F21Y101/02
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 杨林洁
地址: 中国台湾桃园县龙*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 组件
【权利要求书】:

1.一种发光组件,其特征在于,包括:

一蓝宝石基板,具有一承载面;以及

至少一发光二极管芯片,设置于所述蓝宝石基板的所述承载面上,而形成发光的一第一主表面;

其中,所述发光二极管芯片的一出光角度大于180°,且所述蓝宝石基板容许所述发光二极管芯片所发出的光线穿透所述蓝宝石基板相对应所述第一主表面的一第二主表面。

2.根据权利要求1所述的发光组件,其特征在于,所述蓝宝石基板的厚度大于或等于200微米。

3.根据权利要求1所述的发光组件,其特征在于,所述发光二极管芯片包括一第一电极与一第二电极。

4.根据权利要求3所述的发光组件,其特征在于,所述第一电极与所述第二电极分别与所述蓝宝石基板上的一第一连接导线以及一第二连接导线电性连接。

5.根据权利要求4所述的发光组件,其特征在于,所述第一连接导线以及所述第二连接导线位于所述承载面上。

6.根据权利要求1所述的发光组件,其特征在于,所述第一主表面与所述第二主表面的光线色温差异等于或小于1500K。

7.根据权利要求1所述的发光组件,其特征在于,还包含一波长转换层,可选择地至少设置于所述发光二极管芯片、所述第一主表面或所述第二主表面上,所述波长转换层至少部分吸收所述发光二极管芯片所发出的光,并转换为另一波长范围的光。

8.根据权利要求7所述的发光组件,其特征在于,所述波长转换层与所述发光二极管芯片直接相接触。

9.根据权利要求7所述的发光组件,其特征在于,所述波长转换层与所述发光二极管芯片不相接触。

10.根据权利要求2所述的发光组件,其特征在于,所述光线的波长范围大于或等于420纳米,或所述光线的波长范围小于或等于470纳米时,所述蓝宝石基板的光穿透率大于或等于70%。

11.根据权利要求1所述的发光组件,其特征在于,所述发光二极管芯片为若干个,每个发光二极管芯片均具有一发光面,所述第一主表面或所述第二主表面的面积为所述发光二极管芯片的发光面的总面积5倍以上。

12.一种发光组件,其特征在于,包括:

一透明基板,具有一承载面; 

其中,至少一发光二极管芯片,设置于所述透明基板的所述承载面上,而形成发光的一第一主表面,所述发光二极管芯片的一出光角度大于180°,且所述透明基板容许所述发光二极管芯片所发出的光线穿透所述透明基板相对应所述第一主表面的一第二主表面;以及

一波长转换层,可选择地至少设置于所述发光二极管芯片、所述第一主表面或所述第二主表面上,所述波长转换层至少部分吸收所述发光二极管芯片所发出的光,并转换为另一波长范围的光。

13.根据权利要求12所述的发光组件,其特征在于,所述透明基板的厚度大于或等于200微米。

14.根据权利要求12所述的发光组件,其特征在于,所述透明基板的材质包括选自于氧化铝、蓝宝石、玻璃、塑料或橡胶之任一。

15.根据权利要求12所述的发光组件,其特征在于,所述第一主表面与所述第二主表面的光线色温差异等于或小于1500K。

16.根据权利要求12所述的发光组件,其特征在于,所述发光二极管芯片为若干个,每个发光二极管芯片均具有一发光面,所述第一主表面或所述第二主表面的面积为所述发光二极管芯片的发光面的总面积5倍以上。

17.一种发光组件,其特征在于,包括:

一透明基板,具有一承载面;以及

若干个发光二极管芯片,设置于所述透明基板的所述承载面上,每个发光二极管芯片均具有一发光面,而形成发光的一第一主表面;

其中,所述发光二极管芯片的一出光角度大于180°,且所述透明基板容许所述发光二极管芯片所发出的光线穿透所述透明基板相对应所述第一主表面的一第二主表面,且所述第一主表面或所述第二主表面的面积为所述发光二极管芯片的发光面的总面积5倍以上。

18.根据权利要求17所述的发光组件,其特征在于,所述透明基板的厚度大于或等于200微米。

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