[实用新型]用于改善接地性能的CMOS图像传感器有效
| 申请号： | 201320245591.X | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN203367281U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;徐泽 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 改善 接地 性能 cmos 图像传感器 | ||
1.一种用于改善接地性能的CMOS图像传感器，包括：
半导体外延层，其具有上表面；
第二导电类型半导体区，其设置于所述半导体外延层的上表面下方的预设深度内，所述第二导电类型半导体区与其周围的第一导电类型半导体区构成光电二极管；
第一导电类型半导体阱，其设置于所述半导体外延层上表面下方的预设深度内；
栅极，其位于所述第一导电类型半导体阱的上方；
隔离区，其设置于所述第二导电类型区的周围；
隔离层，其设置于所述半导体外延层的上表面下方的预设深度内，并且位于所述第二导电类型半导体区上方，其特征在于，
所述隔离层为第一导电类型半导体层，并且所述隔离层与所述第一导电类型半导体阱在所述栅极下方连成一体，实现电性连接，从而使所述隔离层、第一导电类型半导体阱以及所述半导体外延层保持等电位。
2.根据权利要求1所述的用于改善接地性能的CMOS图像传感器，其特征在于：所述半导体外延层上层区域设置多个所述第二导电类型半导体区，其中至少两个所述第二导电类型半导体区上方的隔离层相互电性连接。
3.根据权利要求1所述的用于改善接地性能的CMOS图像传感器，其特征在于：所述隔离区包括浅沟槽与第一导电类型半导体区。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于改善接地性能的CMOS图像传感器，其特征在于：所述第二导电类型区为N型半导体区，所述隔离层为重掺杂的P型半导体层，所述第一导电类型半导体阱为重掺杂的P型半导体阱。
5.根据权利要求4所述的用于改善接地性能的CMOS图像传感器，其特征在于：所述栅极为多晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
