[实用新型]一种全自对准的绝缘栅双极晶体管器件

权利要求书

1.一种全自对准的绝缘栅双极晶体管器件，其特征在于：包括第一导电类型衬底（110），第一导电类型衬底（110）的第一主面内设有第二导电类型基区（120），第二导电类型基区（120）内设有第二导电类型深扩散区（130），所述第二导电类型深扩散区（130）呈“凹”形，第二导电类型基区（120）内设有第一导电类型发射区（140），第一导电类型发射区（140）分别设置在第二导电类型深扩散区（130）“凹”型的两凸起部分上，每个第一导电类型发射区（140）的第一主面上设有栅极绝缘层（160），栅极绝缘层（160）上设有多晶硅栅层（170），多晶硅栅层（170）上设有第二绝缘层（180），多晶硅栅层（170）两侧设有绝缘侧壁（190）、第一导电类型衬底（110）的第二主面内设有第二导电类型集电区（150）。

2.根据权利要求1所述的一种全自对准的绝缘栅双极晶体管器件，其特征在于：所述多晶硅之间的区域为窗口区，窗口区的中央通过刻蚀多晶硅形成沟槽。

3.根据权利要求2所述的一种全自对准的绝缘栅双极晶体管器件，其特征在于：所述第一导电类型发射区（140）包括两个分立的发射区，其掺杂浓度高于第二导电类型基区（120）；每个发射区的一部分被多晶硅栅层（170）覆盖，另一部分位于窗口区，两个分立的发射区被位于窗口区中部的沟槽隔开。

4.根据权利要求3所述的一种全自对准的绝缘栅双极晶体管器件，其特征在于：所述第一导电类型为N型，第二导电类型为P型，所述第一导电类型衬底（110）为硅衬底，第一导电类型衬底（110）第一主面为正面，第二主面为背面，所述第一导电类型发射区（140）的扩散深度为0.2-0.5um，每个发射区宽度为0.4-1um之间，根据权利要求1所述的一种全自对准的绝缘栅双极晶体管器件，其特征在于：所述第一导电类型衬底（110）窗口区中部的沟槽深度大于第一导电类型发射区（140）的扩散深度，小于第二导电类型深扩散区（130）的扩散深度，其宽度小于等于绝缘侧壁（190）之间的宽度。

5.根据权利要求4所述的一种全自对准的绝缘栅双极晶体管器件，其特征在于：所述栅极绝缘层（160）为热氧化工艺形成的二氧化硅层，所述绝缘侧壁（190）的宽度小于第一导电类型发射区（140）的宽度，所述绝缘侧壁（190）的宽度为0.1-1um，高度为0.7-2um之间。

6.根据权利要求5所述的一种全自对准的绝缘栅双极晶体管器件，其特征在于：所述多晶硅之间窗口区的宽度在2-20um之间。

7.根据权利要求5所述的一种全自对准的绝缘栅双极晶体管器件，其特征在于：多晶硅之间窗口区的宽度在3-5um之间。