[实用新型]阵列基板以及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板以及显示装置。

背景技术

随着光电显示技术的日益成熟，平板显示设备的应用领域越来越广泛。其中，TFT-LCD(英文：Liquid Crystal Display，中文：液晶显示器)基于其寿命长、光效高、低辐射、低功耗的特点，逐渐取代了传统射线管显示设备而成为了近年来显示设备产品主流的研究方向。

TFT-LCD由阵列基板与彩膜基板通过对盒工艺形成，阵列基板与彩膜基板之间滴注有液晶。通常情况下，阵列基板上包括基板，基板上设置有栅金属薄膜、栅绝缘薄膜、半导体薄膜、源漏金属薄膜和透明导电薄膜等。为保证阵列基板中结构单元的绝缘性，栅金属薄膜与透明导电薄膜、源漏金属薄膜与透明导电薄膜之间通常需要设置有绝缘层。其中，栅金属薄膜用于形成栅极以及栅线，源漏金属薄膜用于形成源极、漏极以及数据线，透明导电薄膜用于形成公共电极或像素电极等。

在现有技术中，漏极通常是通过过孔与像素电极相连接。此外，阵列基板上还需要设置有栅线引线孔以及数据线引线孔，其中，栅线引线孔需要穿过栅金属薄膜之上的多层而延伸至栅金属薄膜，用于栅线与外部信号输入设备的连接，为栅线提供电信号；而数据线引线孔穿过源漏金属薄膜之上的多层而延伸至源漏金属薄膜，用于数据线与外部信号输入设备的连接，为数据线提供电信号。

以现有技术中ADS（英文：ADvanced Super Dimension Switch，中文：高级超维场转换技术）边缘场开关技术模式的阵列基板为例，该阵列基板的制备方法至少需要五次构图工艺：第一次构图工艺形成包括平板电极图形的第一透明导电薄膜，第二次构图工艺形成包括栅极以及栅线图形的栅金属薄膜，第三次构图工艺形成包括源极、漏极、数据线、半导体硅岛区域图形的半导体薄膜以及源漏金属薄膜，第四次构图工艺形成包括用于漏极与狭缝电极电连接的过孔、栅线引线孔、数据线引线孔的绝缘层，第五次构图工艺形成包括狭缝电极的第二透明导电薄膜。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：在现有技术阵列基板的制备方法过程中，由于构图工艺次数较多，造成了制备阵列基板的生产周期较长，制作成本较高，良品率较低。

发明内容

本实用新型的实施例提供了一种阵列基板以及显示装置，减少了制备阵列基板所需要的构图工艺次数，从而能够有效降低生产成本，提高良品率。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板的制备方法，包括：

依次形成第一透明导电薄膜和栅金属薄膜，形成第一光刻胶，通过构图工艺形成包括栅极、栅线、平板电极的图形，并保留栅线引线孔对应位置的第一光刻胶；

依次形成包括栅绝缘薄膜、半导体薄膜和源漏金属薄膜；

去除栅线引线孔对应位置处的第一光刻胶，同时将形成在栅线引线孔对应位置处第一光刻胶上的栅绝缘薄膜、半导体薄膜和源漏金属薄膜一并去除；

形成第二光刻胶，通过构图工艺形成包括源极、漏极、数据线以及半导体硅岛区域的图形；

形成第二透明导电薄膜，形成第三光刻胶，通过构图工艺形成包括狭缝电极的图形。

进一步的，所述形成第二透明导电薄膜，形成第三光刻胶，通过构图工艺形成包括狭缝电极的图形的步骤中包括：形成包括狭缝电极的图形，并保留狭缝电极、栅线引线孔、数据线引线孔对应位置处的第三光刻胶；

在所述形成第二透明导电薄膜，形成第三光刻胶，通过构图工艺形成包括狭缝电极的图形的步骤后，所述制备方法还包括：

形成钝化层；

去除狭缝电极、栅线引线孔、数据线引线孔对应位置处的第三光刻胶，同时将形成在狭缝电极、栅线引线孔、数据线引线孔对应位置处第三光刻胶上的钝化层一并去除，形成包括栅线引线孔、数据线引线孔的图形。

进一步的，所述形成第一光刻胶，通过构图工艺形成包括栅极、栅线、平板电极的图形，并保留栅线引线孔对应位置的第一光刻胶的步骤具体包括：

形成第一光刻胶；

通过构图工艺在栅极、栅线对应位置处形成第一子光刻胶，在平板电极对应位置处形成第二子光刻胶，在栅线引线孔对应位置处形成第三子光刻胶；且所述第三子光刻胶的厚度大于所述第一子光刻胶的厚度，所述第一子光刻胶的厚度大于所述第二子光刻胶的厚度；

去除全部的第二子光刻胶，去除部分厚度的第一子光刻胶以及部分厚度的第三子光刻胶；

形成包括平板电极的图形；

去除剩余的第一子光刻胶，再去除部分厚度的第三子光刻胶；

形成包括栅线、栅极的图形；

保留剩余的第三子光刻胶。