[实用新型]反射式超导传输线谐振腔

权利要求书

1.一种反射式超导传输线谐振腔，包括电介质基片（1），所述电介质基片（1）上设有两条并行并且弯曲的耦合微带传输线（2）、两个齿状耦合电容（3）和两个微波接入电极（4）；其特征在于：每个耦合微带传输线（2）一端放空，另一端通过一个齿状耦合电容（3）耦合到一个微波接入电极（4）；所述耦合微带传输线（2）、齿状耦合电容（3）和微波接入电极（4）都为铝超导材料。

2.根据权利要求1所述的反射式超导传输线谐振腔，其特征在于：所述电介质基片（1）为半导体基片。

3.根据权利要求2所述的反射式超导传输线谐振腔，其特征在于：所述电介质基片（1）为Si材料基片或者GaAs材料基片。

4.根据权利要求3所述的反射式超导传输线谐振腔，其特征在于：两条并行的耦合微带传输线（2）呈弯曲走线的形式设置在电介质基片（1）上。

5.根据权利要求4所述的反射式超导传输线谐振腔，其特征在于：所述耦合微带传输线（2）沿方向D单向弯曲，使耦合微带传输线（2）在方向D上的投影连续而并且耦合微带传输线（2）前点的投影和后点的投影后不重合。

6.根据权利要求1或2或3或4或5所述的反射式超导传输线谐振腔，其特征在于：所述电介质基片（1）还设有两个分别位于耦合微带传输线(2)两侧的直流电压接入电极(5)；所述直流电压接入电极(5)通过金属线(6)与同侧的耦合微带传输线(2)电连接；金属线(6)和直流电压接入电极(5)也为铝超导材料。

7.根据权利要求6所述的反射式超导传输线谐振腔，其特征在于：所述耦合微带传输线(2)、齿状耦合电容(3)、微波接入电极(4)以及金属线(6)和直流电压接入电极(5)通过半导体微纳米加工工艺设置在电介质基片(1)上。