[实用新型]测试系统

权利要求书

1.一种测试系统，其特征在于，被配置成对在垂直方向上至少部分地穿过包括半导体材料的本体的衬底延伸的至少一个通孔执行电测试，所述测试系统包括集成在所述本体中的电测试电路，电耦合至所述通孔以及由所述本体承载的用于朝着外部电连接的电连接元件，所述电测试电路被配置成实现通过所述电连接元件检测所述通孔的至少一个电学参数并且包括集成在所述衬底中的微电子掩埋结构，以便限定在所述电连接元件和在所述衬底内的所述通孔之间的电路径；其中所述微电子掩埋结构包括至少一个第一掺杂掩埋区域，其与所述通孔的掩埋在所述衬底内的并且不能从所述本体的外部访问的第一端至少部分地接触，所述第一掺杂掩埋区域具有与所述衬底相反的掺杂，以便与所述衬底形成半导体结，该半导体结被设计为当其被正向偏置时限定所述电路径， 

所述半导体结具有小于所述导电区域的在与所述垂直方向横切的水平面中的表面的面积的结面积。 

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述结面积包含于所述导电区域的所述表面的面积的1%和90%之间。 

3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述结面积包含于所述导电区域的所述表面的面积的5%和50%之间。 

4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述结面积等于所述导电区域的所述表面的面积的10%。 

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的系统，其特征在于，所述通孔包括导电材料的中央区域和绝缘涂层，所述绝缘涂层被布置成将所述中心区域与所述衬底完全侧向分开，并且在底部处除了至少一个第一区域之外与所述衬底分开，其中所述通孔的突出部穿过所述绝缘涂层并且与所述第一掺杂掩埋区域接触。 

6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，所述第一掺杂掩埋区域在所述突出部下面延伸，并且在所述绝缘涂层的基部下面部 分地侧向延伸。 

7.根据权利要求1至4中任意一项所述的系统，其特征在于，所述微电子掩埋结构包括又一掺杂掩埋区域，每个所述掺杂掩埋区域与所述通孔的所述第一端至少部分地接触，并且具有与所述衬底的掺杂相反的掺杂，以便与所述衬底形成相应的半导体结，该半导体结被设计为当其被正向偏置时限定所述电路径。 

8.根据权利要求1至4中任意一项所述的系统，其特征在于，所述微电子掩埋结构限定以下二者中至少一个：沿着所述电路径串联连接至所述通孔的半导体二极管；以及侧向的或者垂直的晶体管，所述掺杂掩埋区域构成所述晶体管的电流传导端子。