[实用新型]液晶像素电极结构、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201320168342.5 | 申请日： | 2013-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN203149252U | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 文锺源;黄强;朴台圭 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液晶 像素 电极 结构 阵列 显示装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种液晶像素电极结构，其特征在于，包括：第一像素电极和第二像素电极、以及公共电极，所述第一像素电极和第二像素电极依次间隔排布，且位于所述公共电极上方，所述第一像素电极和第二像素电极的驱动电压不同，且分别与所述公共电极之间形成相等的电压差绝对值。
2.如权利要求1所述的液晶像素电极结构，其特征在于，所述公共电极为狭缝电极。
3.如权利要求2所述的液晶像素电极结构，其特征在于，所述狭缝电极的开口位置对应于所述第一像素电极或者所述第二像素电极的位置。
4.如权利要求3所述的液晶像素电极结构，其特征在于，所述开口的面积小于相应的所述第一像素电极或者所述第二像素电极的面积。
5.如权利要求1所述的液晶像素电极结构，其特征在于，所述第一像素电极和第二像素电极由ITO材料制成。
6.如权利要求1所述的液晶像素电极结构，其特征在于，所述公共电极由ITO材料制成。
7.如权利要求1所述的液晶像素电极结构，其特征在于，所述电极结构还包括位于所述公共电极与所述第一像素电极及第二像素电极之间的钝化层。
8.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的液晶像素电极结构。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的阵列基板。
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