[实用新型]CMOS图像传感器有效
| 申请号： | 201320121500.1 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203179889U | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 | ||
1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括第一像素区域和与之相邻的第二像素区域；
位于所述基底内的浅沟槽，所述浅沟槽位于第一像素区域和第二像素区域之间；
覆盖所述浅沟槽的底部和侧壁的隔离层；
位于所述浅沟槽内的隔离层表面的导电层；
覆盖所述导电层的介电层，所述介电层和隔离层共同包裹所述导电层。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述介电层内的导电柱，所述导电柱与导电层电连接。
3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述基底表面的导电元件或电路，所述导电元件或电路通过导电柱与导电层电连接。
4.如权利要求2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：覆盖所述基底、介电层表面的层间介质层；位于所述层间介质层内的导电插塞，所述导电插塞与导电柱电连接。
5.如权利要求4所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述第一像素区域或第二像素区域的基底表面的晶体管，所述导电插塞与晶体管的栅极电连接。
6.如权利要求4所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述层间介质层表面的互连金属线，所述互连金属线与所述导电插塞电连接。
7.如权利要求4所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述第一像素区域或第二像素区域的基底内的有源区，所述有源区与所述导电插塞电连接。
8.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
9.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述导电层的材料为多晶硅、钨、铜、钛或氮化钛。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
