[实用新型]硅舟有效
申请号: | 201320082841.2 | 申请日: | 2013-02-22 |
公开(公告)号: | CN203150529U | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 张朝坤 | 申请(专利权)人: | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅舟 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种半导体元件制造使用的装置,特别是涉及一种硅舟。
背景技术
在半导体器件加工制造领域,常常需要用到硅舟。硅舟主要用于盛放硅片,并通过硅舟将硅片放入扩散炉中进行处理。在将装有硅片的硅舟放入扩散炉内进行加工之前,一般需要将热偶插入到扩散炉内以检测扩散炉内的温度是否合适。在将装有硅片的硅舟放入扩散炉内进行加工时,扩散炉内的温度也需要保持在合适的范围之内。而此时扩散炉内的温度却无法进行实时检测。这样就可能出现扩散炉内温度不在合适的温度范围内,导致加工出来的硅片不符合要求或者硅片质量较低的现象。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种可以实时监控扩散炉内温度的硅舟。
一种硅舟,所述硅舟包括舟体,所述舟体的上沿设有容纳热偶的凹槽。
在其中一个实施例中,所述凹槽为U形凹槽或半圆形凹槽。
在其中一个实施例中,所述舟体为U形舟体或半圆形舟体。
在其中一个实施例中,所述舟体的两个上沿均设有容纳热偶的凹槽。
上述硅舟在舟体的上沿设置容纳热偶的凹槽,这样当使用该硅舟时,凹槽内可以设置热偶,硅舟被放入扩散炉内时就可以实时监控扩散炉内的温度,从而方便控制扩散炉内的温度,提高硅片的加工质量。
附图说明
图1为一个实施例的硅舟的立体图;
图2为图1所示硅舟应用于扩散炉内时的示意图。
具体实施方式
请参考图1,一个实施方式提供了一种硅舟110。该硅舟110包括舟体112,舟体112的上沿设有容纳热偶140的凹槽114。该硅舟110的舟体112可以为U形舟体或半圆形舟体。舟体112上的凹槽114可以为U形凹槽或半圆形凹槽。另外,该硅舟110的舟体112的两个上沿均设有容纳热偶140的凹槽114。也就是说,该硅舟110具有两个凹槽114。这样该硅舟110可以根据实际需要同时设置两个热偶140或一个热偶140。当该硅舟110采用两个热偶140时可以更加准确的得到该硅舟110周围的温度,避免出现硅舟110上部分区域温度过高,另一部分温度正常而导致检测结果不准确的现象发生。
请参考图2,使用时,该硅舟110内会放置硅片130,并在凹槽114内放置测量温度的热偶140。当将该硅舟110放入扩散炉120内对硅舟110上的硅片130进行加工时,凹槽114内的热偶140可以实时监控扩散炉120内的温度。这样当扩散炉120出现温度异常时可以尽快调整扩散炉120内的温度。这样就可以加工出质量更高、技术参数更加一致的硅片。
该硅舟在舟体的上沿设置容纳热偶的凹槽,这样当使用该硅舟时,凹槽内可以设置热偶,硅舟被放入扩散炉内时就可以实时监控扩散炉内的温度,从而方便控制扩散炉内的温度,提高硅片的加工质量。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造