[实用新型]一种垂直大位移MEMS微镜有效

申请号：	201320065096.0	申请日：	2013-02-05
公开（公告）号：	CN203164512U	公开（公告）日：	2013-08-28
发明（设计）人：	丁金玲;谢会开;陈巧	申请（专利权）人：	无锡微奥科技有限公司
主分类号：	G02B26/08	分类号：	G02B26/08
代理公司：	南京经纬专利商标代理有限公司 32200	代理人：	许方
地址：	214028 江苏省无锡***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种垂直位移 mems 微镜
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【权利要求书】：

1. 一种垂直大位移MEMS微镜，包括微镜边框（1）、镜体（2）和驱动臂（3），镜体（2）边缘通过驱动臂（3）与微镜边框（1）相连接，驱动臂（3）上设置有第一导电走线，其特征在于：所述驱动臂（3）包括两根直梁（4）和与之相对应的三个双层膜Bimorph结构连接件（5），双层膜Bimorph结构连接件（5）上设置数个加热电阻（7），第一导电走线与加热电阻（7）相连接；各根直梁（4）之间、直梁（4）与微镜边框（1）之间、直梁（4）与镜体（2）边缘之间均通过双层膜Bimorph结构连接件（5）进行连接，使镜体（2）相对于微镜边框（1）处于垂直大位移的位置。

2. 根据权利要求1所述一种垂直大位移MEMS微镜，其特征在于：还包括分别设置在镜体（2）表面上和双层膜Bimorph结构连接件（5）上的热敏电阻（6）。

3. 根据权利要求2所述一种垂直大位移MEMS微镜，其特征在于：所述热敏电阻（6）为Pt或者多晶硅材料。

4. 根据权利要求2所述一种垂直大位移MEMS微镜，其特征在于：所述设置在镜体（2）表面上的热敏电阻（6）采用蛇形分布的方式设置在镜体（2）表面上。

5. 根据权利要求2所述一种垂直大位移MEMS微镜，其特征在于：所述驱动臂（3）上还设置与所述热敏电阻（6）相连接的第二导电走线。

6. 根据权利要求5所述一种垂直大位移MEMS微镜，其特征在于：所述第一导电走线、第二导电走线为Al材料。

7. 根据权利要求1所述一种垂直大位移MEMS微镜，其特征在于：所述加热电阻（7）为金属或者多晶硅材料。

8. 根据权利要求1所述一种垂直大位移MEMS微镜，其特征在于：所述双层膜Bimorph结构连接件（5）上的数个加热电阻（7）通过串连或并联的方式相互连接。

9. 根据权利要求1所述一种垂直大位移MEMS微镜，其特征在于：所述直梁（4）为Al或者SiO₂材料。

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